中國粉體網訊  目前，國內外大多數(shù)電力電子功率器件都采用硅基半導體材料，經過幾十年的不斷改良和優(yōu)化，其性能已接近硅材料的理論極限。以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料功率器件在各項性能指標上較現(xiàn)有硅基功率器件有飛躍性的提升，憑借其卓越性能而被不斷應用于光伏發(fā)電、電動汽車、軌道交通和風力發(fā)電等領域，引領著電力電子領域的一次技術革命。據Yole數(shù)據顯示，全球碳化硅功率器件市場規(guī)模預計將從2021年10.9億美元增長至2027年62.97億美元，年均復合增長率達34%。

本篇，我們就來盤點一下國內碳化硅功率器件十強企業(yè)（排名不分順序）：

三安光電股份有限公司成立于2000年，主要從事碳化硅、砷化鎵、氮化鎵、藍寶石等半導體新材料、外延、芯片與器件的研發(fā)、生產與銷售。

三安光電子公司湖南三安作為國內為數(shù)不多的碳化硅垂直產業(yè)鏈制造平臺（6英寸），產業(yè)鏈包括長晶-襯底制作-外延生長-芯片制備-封裝，2022年碳化硅產能已達1.2萬片/月，二期工程將于2023年貫通，達產后配套年產能將達到50萬片。

2023年6月7日，湖南三安和意法半導體簽署《合資協(xié)議》，雙方將在重慶市設立合資公司“三安意法半導體（重慶）有限公司”，進行8英寸碳化硅器件大規(guī)模量產。該合資廠全部建設總額預計約32億美元，湖南三安持股51%，意法半導體持股49%。項目在取得各項手續(xù)批復后開始建設，2025年完成階段性建設并逐步投產，2028年達產，規(guī)劃達產后生產8英寸碳化硅晶圓10000片/周。該合資廠將采用意法半導體的碳化硅專利制造工藝技術，制造的碳化硅外延、芯片將獨家銷售給意法半導體或其指定的任何實體。另外，為滿足該合資廠的襯底需求，三安光電也將利用自有碳化硅襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸碳化硅襯底制造廠，規(guī)劃產能48萬片/年。

北京世紀金光半導體有限公司成立于2010年，是一家貫通碳化硅全產業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)。其前身為中原半導體研究所，始建于1970年，至今有50年歷史積淀。

公司專注于戰(zhàn)略新興半導體的研發(fā)與生產，已創(chuàng)新性的解決了高純碳化硅粉料提純技術、6英寸碳化硅單晶制備技術、高壓低導通電阻SiC SBD、MOSFET結構及工藝設計技術等。目前已完成從碳化硅功能材料生長、功率元器件和模塊制備、行業(yè)應用開發(fā)和解決方案提供等關鍵領域的全面布局。公司6英寸碳化硅單晶已量產；功率器件和模塊制備已覆蓋額定電壓650-1700V、額定電流5-100A的SiC SBD，額定電壓650-1200V、額定電流20-100A的SiC MOSFET，50-600A的全橋、半橋混合功率模塊及全碳化硅功率模塊等。

杭州士蘭微電子股份有限公司成立于1997年，專業(yè)從事集成電路芯片設計以及半導體微電子相關產品生產。公司功率半導體產品線對標英飛凌，打造從外延、設計、制造到封測的國內平臺型IDM龍頭。

士蘭微旗下士蘭明鎵已完成第一代平面柵SiC MOSFET技術的開發(fā)，已將SiC MOSFET芯片封裝到汽車主驅功率模塊上，并已向客戶送樣，預計2023年底形成月產6000片6英寸碳化硅芯片的生產能力。2022年10月，士蘭微籌劃非公開發(fā)行募資65億元，募投項目之一便是用于“碳化硅功率器件生產線建設項目”，并在2023年4月26日定增獲上交所審核通過，達產后將新增年產14.4萬片SiC MOSFET/SBD功率半導體器件芯片的生產能力。

華潤微電子有限公司的成立最早可以追溯到1983年，原四機部、七機部、外經貿部和華潤集團聯(lián)合在香港設立的香港華科電子公司。目前，公司擁有芯片設計、晶圓制造、封裝測試等全產業(yè)鏈一體化運營能力，產品聚焦于功率半導體、智能傳感器領域。

華潤微早在2020年就深度布局了碳化硅，并于當年7月正式向市場投放了1200V和650V工業(yè)級SiC SBD功率器件產品系列，同時，其6英寸商用碳化硅晶圓生產線正式量產。2021年12月，華潤微正式推出自主研發(fā)量產的SiC MOSFET新品，并推出了第二代650V/1200V SiC JBS產品。2022年，華潤微碳化硅器件整體銷售規(guī)模同比增長約2.3倍，待交訂單超過1000萬元，投片量逐月穩(wěn)步增加。車規(guī)級SiC MOSFET和碳化硅模塊研發(fā)工作進展順利，已完成多款SiC MOSFET模塊產品出樣。華潤微給2023年寬禁帶半導體的目標是整體銷售上億元。

泰科天潤半導體科技(北京)有限公司成立于2011年，是中國碳化硅功率器件產業(yè)化領軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅芯片和碳化硅功率器件的研發(fā)與制造，包含各種封裝形式的SiC SBD、SiC MOSFET和碳化硅模塊，并提供應用解決方案。

泰科天潤的碳化硅功率器件產品規(guī)格范圍覆蓋650V-3300V（1A-100A）等多款規(guī)格，可以提供TO220、TO220全包封、TO220內絕緣、TO247-2L、TO247-3L、TO247-4L、TO252、TO263、TO268、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高溫封裝形式，并可按客戶需求提供其他封裝形式。

公司總部坐落于北京，在北京和湖南分別擁有4英寸和6英寸碳化硅半導體工藝晶圓生產線。湖南6英寸碳化硅半導體工藝晶圓生產線于2019年動工，2021年批量面對市場。目前，產線正處于擴產階段，預計2023年將實現(xiàn)10萬片/年的碳化硅晶圓片產能。

嘉興斯達半導體股份有限公司成立于2005年，專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發(fā)、生產及銷售服務，主要產品為功率半導體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。

2020年公司投資約2億元建設全碳化硅功率模組產業(yè)化項目，投資建設年產8萬顆車規(guī)級全碳化硅功率模組生產線和研發(fā)測試中心；2022年公司完成定增募資35億元，用于投資IGBT和碳化硅芯片項目等。最新進展顯示，公司車規(guī)級碳化硅模塊開始在海外市場小批量供貨，另外，使用公司自主芯片的車規(guī)級SiC MOSFET模塊預計2023年開始在主電機控制器客戶批量供貨。

揚州揚杰電子科技股份有限公司成立于2000年，產品線含蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、碳化硅、整流器件、保護器件、小信號等，為客戶提供一攬子產品解決方案。

揚杰科技采取IDM與Fabless并行，多渠道加速碳化硅產能建設。目前揚杰科技已經向市場推出碳化硅模塊及650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD全系列產品，SiC MOSFET已取得關鍵性進展。

2023年4月20日，揚杰科技公告計劃投資10億元在江蘇揚州建設6英寸碳化硅晶圓產線，規(guī)劃產能5000片/月，后續(xù)擬進一步布局6~8英寸碳化硅芯片生產線建設。此外，揚杰科技還通過投資控股湖南楚微半導體，進一步完善了公司在晶圓制造上的核心能力，形成了比較完備的晶圓產品制造能力。根據規(guī)劃，楚微半導體二期建設規(guī)劃為新增3萬片/月的8英寸硅基芯片生產線項目和5000片/月的6英寸碳化硅基芯片生產線項目。

深圳基本半導體有限公司成立于2016年，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產業(yè)化。公司掌握碳化硅核心技術，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等產業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)，核心產品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅動芯片等。

基本半導體自主研發(fā)的汽車級碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的定點，成為國內第一批碳化硅模塊量產上車的頭部企業(yè)；采用自研芯片的碳化硅功率器件已累計出貨超過3000萬顆。

2023年4月24日，基本半導體位于深圳的車規(guī)級碳化硅芯片產線順利通線，該產線具備年產1.8萬片6英寸SiC MOSFET晶圓的能力，二期計劃擴產至7.2萬片，產線達產后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關芯片需求。

聞泰科技股份有限公司成立于2006年，是集研發(fā)設計和生產制造于一體的產品集成、基礎半導體和光學企業(yè)，主要為全球客戶提供手機、平板、筆電、服務器、IoT、汽車電子等終端產品研發(fā)制造，半導體功率器件、模擬芯片的研發(fā)設計、晶圓制造和封裝測試，光學模組的研發(fā)制造服務。

聞泰科技旗下安世半導體是全球知名的半導體IDM公司，集芯片設計、晶圓制造和封裝測試等全產業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一體，前身是原飛利浦半導體標準產品事業(yè)部，擁有60多年半導體研發(fā)和制造經驗。公司總部位于荷蘭奈梅亨，晶圓制造工廠在德國漢堡和英國曼徹斯特，封裝測試工廠位于中國東莞、菲律賓卡布堯和馬來西亞芙蓉。安世半導體產品廣泛用于全球各類電子設計，豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、GaN場效應晶體管、碳化硅二極管、IGBT以及模擬IC和邏輯IC。

安世半導體最近已接連發(fā)布650V碳化硅二極管、首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET、80V ASFET產品PSMN1R9-80SSE等創(chuàng)新產品，這些產品的線性模式性能對于高效可靠地管理浪涌電流必不可少，更能滿足超高性能、低損耗和高效率的功率半導體需求。

安徽長飛先進半導體有限公司成立于2018年，專注于碳化硅功率半導體產品研發(fā)及制造，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產能力和技術研發(fā)能力�？赡戤a6萬片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬只功率模塊、1800萬只功率單管。目前該公司可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關產品。

2023年6月26日，長飛光纖發(fā)布公告稱，公司子公司長飛先進擬投資人民幣60億元建設第三代半導體功率器件生產項目。該項目建設內容包括第三代半導體外延、晶圓制造、封測等產線，建設完畢后將形成年產36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、年產6100萬個功率器件模塊的能力。

（中國粉體網編輯整理/長安）

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