中國粉體網(wǎng)訊 日前，合盛硅業(yè)發(fā)布公告，公司控股子公司寧波合盛新材近日成功研發(fā)碳化硅半導體材料并具備量產(chǎn)能力。
“公司已完整掌握了SiC材料的原料合成、晶體生長、襯底加工等全產(chǎn)業(yè)鏈核心工藝技術(shù)，突破了關(guān)鍵材料（多孔石墨、涂層材料）和裝備的技術(shù)壁壘，目前SiC生產(chǎn)線已具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)品良率處于國內(nèi)企業(yè)領(lǐng)先水平，在關(guān)鍵技術(shù)指標方面已追趕上國際龍頭企業(yè)水平。”合盛半導體SiC項目營銷部負責人接受媒體采訪時表示。
近年來，合盛硅業(yè)持續(xù)布局硅基新材料全產(chǎn)業(yè)鏈，夯實穩(wěn)固工業(yè)硅、有機硅發(fā)展基礎(chǔ)，并加速在第三代半導體SiC、光伏新能源等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)攻堅，不斷深化合盛作為“全球最完整硅基全產(chǎn)業(yè)鏈公司”的行業(yè)領(lǐng)軍地位。
科技興國，突破歐美技術(shù)封鎖
半導體是指在常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用，深刻影響著人們的日常工作與生活。
半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展至今，經(jīng)歷了三個階段。第一代半導體材料以硅（Si）為代表，第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）為代表。前兩代半導體材料技術(shù)話語權(quán)始終掌握在歐美國家手中，而碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料代表，相比前兩代具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能。
合盛第三代半導體研發(fā)&智造基地
合盛硅業(yè)順勢而為，于2020年在寧波慈溪成立了寧波合盛新材料有限公司，目前已累計投入近5億元的研發(fā)資金，與專家技術(shù)團隊一起，全力攻堅第三代半導體SiC，以完成對歐美國家在半導體領(lǐng)域的彎道超車。
創(chuàng)新引領(lǐng)，聚焦質(zhì)量與效率
提高SiC襯底材料的國產(chǎn)化率、實現(xiàn)進口替代是中國半導體行業(yè)急需突破的產(chǎn)業(yè)瓶頸。
截止目前，合盛2萬片寬禁帶半導體SiC襯底及外延片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線項目已通過驗收，并具備量產(chǎn)能力，6英寸晶體良率達到90%，外延片良率達到95%，同時8英寸襯底研發(fā)順利，產(chǎn)品各項指標均處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平，且擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，掌握核心研發(fā)能力。
合盛上海研發(fā)制造中心
為強化科研實力，打造創(chuàng)新引擎。合盛硅業(yè)位于上海嘉定區(qū)的研發(fā)制造中心已全面動工，該項目預(yù)計總投資2.5億元，計劃2024年底竣工，達產(chǎn)后年產(chǎn)值約7.1億元。
研發(fā)制造中心建成后，將依托公司自有技術(shù)，創(chuàng)新攻堅第三代半導體SiC長晶技術(shù)和有機硅材料高端產(chǎn)品，助力打造上海SiC晶圓和有機硅產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。
襯底與外延項目
2022年4月，合盛硅業(yè)控股子公司合盛新材主導的 “年產(chǎn)2萬片寬禁帶半導體碳化硅襯底及外延”項目第一階段已完成驗收，預(yù)計項目第一階段 年產(chǎn)能為1萬片6英寸碳化硅襯底及外延片。
據(jù)了解，該項目 總投資1.3億元，于2021年11月開工建設(shè)，2022年1月完成了年產(chǎn)1 萬片寬禁帶半導體碳化硅襯底及外延片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線生產(chǎn)規(guī)模建設(shè)，并開始調(diào)試試運行。試生產(chǎn)至今，各項設(shè)施運行情況正常。
奔赴美好，全新啟程
公司產(chǎn)品一覽
合盛硅業(yè)半導體SiC項目各工序全線貫通與全面量產(chǎn)，將進一步推動SiC工藝技術(shù)進步，實現(xiàn)進口替代，保障第三代半導體材料的可持續(xù)發(fā)展，并服務(wù)節(jié)能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰(zhàn)略需求，助力新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展，為中國科技產(chǎn)業(yè)升級提供源源不斷的綠色“芯動力”。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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