中國(guó)粉體網(wǎng)訊 4月7日,中國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)在長(zhǎng)沙成立,將加快汽車功率芯片的國(guó)產(chǎn)化。在成立大會(huì)暨汽車功率芯片發(fā)展研討會(huì)期間,第一財(cái)經(jīng)記者獲悉,汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來(lái)機(jī)會(huì),降本提質(zhì)是國(guó)產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵;三安光電用于電動(dòng)車主驅(qū)的碳化硅功率半導(dǎo)體有望今年四季度正式“上車”。
汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來(lái)機(jī)會(huì)
有行業(yè)專家向第一財(cái)經(jīng)記者表示,一輛電動(dòng)車如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導(dǎo)體,功率半導(dǎo)體約占電機(jī)控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財(cái)經(jīng)記者,功率半導(dǎo)體,包括IGBT、碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體;業(yè)內(nèi)共識(shí)是,20萬(wàn)元以內(nèi)的電動(dòng)車用IGBT,20萬(wàn)元以上的電動(dòng)車用碳化硅功率半導(dǎo)體;碳化硅功率半導(dǎo)體損耗小、耐高壓、耐高溫,是功率半導(dǎo)體的未來(lái)發(fā)展方向之一。
郭宇輝說(shuō),目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯,比如,電源類、控制類、通信類、計(jì)算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項(xiàng)目投資建設(shè)期需18-24個(gè)月,去年有許多碳化硅項(xiàng)目的投資,要2025年才會(huì)釋放產(chǎn)能,預(yù)計(jì)2025年碳化硅功率半導(dǎo)體的緊缺狀況才會(huì)得到緩解。
今年,奇瑞汽車在功率半導(dǎo)體方面,會(huì)盡力保障供應(yīng)鏈安全,國(guó)產(chǎn)化是解決缺芯風(fēng)險(xiǎn)的辦法之一。郭宇輝說(shuō),目前,國(guó)內(nèi)的碳化硅供應(yīng)商,還沒(méi)有大規(guī)模供應(yīng)車規(guī)產(chǎn)品。加工硅要1500°C,加工碳化硅要2500°C;硅基襯底制作時(shí)間是兩三天,碳化硅襯底制作時(shí)間是兩三周。碳化硅器件的工藝要求高,所以成本約是硅基器件的數(shù)倍,F(xiàn)在,碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝還不夠成熟,良率不是很高,成本較高,未來(lái)成本一定要降下來(lái)。
作為國(guó)內(nèi)主要的碳化硅供應(yīng)商之一,三安半導(dǎo)體投資160億元的長(zhǎng)沙碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈工廠,2021年6月一期工程投產(chǎn),6英寸碳化硅晶圓產(chǎn)能爬坡至15000片/月,二期工程預(yù)計(jì)2023年完工,達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能50萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓。三安半導(dǎo)體銷售副總經(jīng)理張真榕向第一財(cái)經(jīng)記者表示,三安將抓住2024年、2025年汽車業(yè)結(jié)構(gòu)性缺芯的機(jī)會(huì),加快推進(jìn)國(guó)產(chǎn)碳化硅“上車”進(jìn)程,三安用于主驅(qū)的碳化硅功率半導(dǎo)體有望2023年四季度正式“上車”。
國(guó)內(nèi)另一家碳化硅器件提供商泰科天潤(rùn)的相關(guān)負(fù)責(zé)人也說(shuō),“上車”是功率半導(dǎo)體企業(yè)想努力達(dá)成的目標(biāo)。中國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)的成立,將為車用功率半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)化創(chuàng)造更好條件,希望同行共同努力,也希望得到整車廠更多支持。
(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青)
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