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        村田的“下一步行動(dòng)”——硅電容器


        來源:中國粉體網(wǎng)   空青

        [導(dǎo)讀]  村田擴(kuò)產(chǎn),在法國新建一條200mm晶圓生產(chǎn)線,以擴(kuò)大硅電容器的產(chǎn)能。

        中國粉體網(wǎng)訊  近日,村田官網(wǎng)發(fā)布消息,公司生產(chǎn)子公司Murata Integrated Passive Solutions將在法國卡昂新建一條200mm晶圓生產(chǎn)線,以擴(kuò)大硅電容器的產(chǎn)能,生產(chǎn)的硅電容器將用于植入式醫(yī)療設(shè)備、電信基礎(chǔ)設(shè)施和移動(dòng)電話。




        據(jù)悉,此次新建的200mm晶圓生產(chǎn)線,采用獨(dú)特的PICS領(lǐng)先技術(shù),該技術(shù)在電氣特性方面具有更高的性能,這些產(chǎn)品尺寸超小,厚度低至40µm,主要面向具有超高性能和電容值的手機(jī)市場(chǎng)。


        該產(chǎn)線將于2023年春季開始籌建,安裝在現(xiàn)有建筑物內(nèi)部。通過此次擴(kuò)建,村田將在2023~2025年期間創(chuàng)造100多個(gè)新工作崗位。


        什么是硅電容器?


        硅電容利用硅材質(zhì)制作而成,它跟普通電容類似,也是上下都是極板,中間是介電層,不同點(diǎn)是介電層使用的是硅材料。


        硅電容在性能上有不少優(yōu)勢(shì):


        1)硅的穩(wěn)定性能比較好,因此硅電容也相應(yīng)具有出色的高頻特性和溫度特性、極低的偏置特性、很高的可靠性,以及低背化等特性。

        2)硅電容還做得更小更薄,標(biāo)準(zhǔn)化的硅電容可以做到100微米,定制化的可以做到40~50微米。

        3)硅電容這樣的底部電極品更適合高速信號(hào)線,越接近阻抗連續(xù)性更好,信號(hào)品質(zhì)更好。

        4)硅電容器可靠性更高,工作電壓下可保證100攝氏度,10年壽命。

        5)硅電容器件本身插損很小,相比其他寬帶電容產(chǎn)品,插損優(yōu)勢(shì)很明顯。

        6)硅電容的絕緣阻抗很高,優(yōu)于陶瓷電容和鉭電容。


        據(jù)了解,硅電容器主要應(yīng)用于LC濾波器、毫米波T/R組件、移動(dòng)通訊基站、手機(jī)終端、醫(yī)療MRI及線圈等領(lǐng)域。據(jù)相關(guān)市場(chǎng)數(shù)據(jù),目前整體硅電容器市場(chǎng)年用量預(yù)計(jì)達(dá)93億個(gè),年產(chǎn)60萬片,手機(jī)終端市場(chǎng)占比最高,年用量將近60億個(gè)。


        村田硅電容的內(nèi)部3D結(jié)構(gòu)


        村田硅電容器的3D結(jié)構(gòu)是利用干法蝕刻技術(shù)的BOSCH工藝。BOSCH工藝是硅加工特有的技術(shù),它可以讓通過SF6氣體進(jìn)行蝕刻和通過C4F8形成保護(hù)膜高速重復(fù),從而實(shí)現(xiàn)高縱橫比蝕刻。


        與MLCC相比,正是因?yàn)椴捎酶呖v橫比的3D結(jié)構(gòu),通過蝕刻工藝,有效的增加了電容器表面,使的硅電容器具有更穩(wěn)定的電氣特性。另外,使用適當(dāng)?shù)母呓殡姵?shù)材料以及使用適當(dāng)?shù)某练e技術(shù)制造,使器件具有高介電常數(shù)。


        盡管硅電容器擁有超小尺寸、超高頻率、高容量、可靠性和穩(wěn)定性等特點(diǎn),但技術(shù)壁壘極高,因此過去主要用于航空航天、軍工雷達(dá)等領(lǐng)域,民用市場(chǎng)占比不到1%。


        根據(jù)市場(chǎng)研究公司Transparency Market Research的數(shù)據(jù),2021年全球硅電容器市場(chǎng)價(jià)值15.8億美元。從2022年到2031年,預(yù)計(jì)將以5.4%的CAGR(復(fù)合年增長率)增長。同時(shí),根據(jù)Mordor Intelligence的一項(xiàng)研究,2021年全球MLCC市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到116.3億美元,預(yù)計(jì)2022年至2027年的復(fù)合年增長率為6.03%。


        在硅電容器領(lǐng)域,村田有絕對(duì)的“話語權(quán)”。村田制作所于2016年10月收購的原法國IPDiA,之后更名為Murata Integrated Passive Solutions。該公司總部位于法國諾曼底卡昂,負(fù)責(zé)開發(fā)和生產(chǎn)3D硅電容器,主要用于植入式醫(yī)療設(shè)備、高可靠性應(yīng)用、電信基礎(chǔ)設(shè)施、汽車和移動(dòng)設(shè)備。


        收購了前IPDiA之后,主營MLCC的村田制作所將硅電容器定位為“下一步行動(dòng)”,而這一次的擴(kuò)產(chǎn)更像是“催化劑”,硅電容器也將成為下必爭之地。


        來源:村田官網(wǎng)、Murata村田中國公眾號(hào)、36氪、和訊網(wǎng)


        (中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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        作者:空青

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