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碳化硅特種制品 反應(yīng)燒結(jié)碳化硅窯具系列標(biāo)準(zhǔn)
碳化硅陶瓷材料由于強(qiáng)度高，熱導(dǎo)率高，熱膨脹系數(shù)低，耐熱沖擊性好，用于各種使用條件苛刻的環(huán)境，尤其反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷的抗氧化性較好，且具有良好的耐磨性和導(dǎo)熱性，是一種應(yīng)用范圍廣泛的窯具材料。近年來，隨著鋰電等新能源產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷輥棒等窯具產(chǎn)品需求強(qiáng)烈。
此次即將實(shí)施的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)有：《碳化硅特種制品 反應(yīng)燒結(jié)碳化硅窯具 第2部分：異形梁》（GB/T 21944.2-2022），《碳化硅特種制品 反應(yīng)燒結(jié)碳化硅窯具 第3部分：輥棒》（GB/T 21944.3-2022），《碳化硅特種制品 反應(yīng)燒結(jié)碳化硅窯具 第4部分：燒嘴套》（GB/T 21944.4-2022）。
該系列國家標(biāo)準(zhǔn)由TC139（全國磨料磨具標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)）歸口，TC139SC2（全國磨料磨具標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)普通磨具及碳化硅特種制品分會(huì)）執(zhí)行，主管部門為中國機(jī)械工業(yè)聯(lián)合會(huì)。主要起草單位為濰坊華美精細(xì)技術(shù)陶瓷股份有限公司、山東金鴻新材料股份有限公司、濰坊致達(dá)特種陶瓷有限公司等。
《鋁基復(fù)合材料 碳化硅體積分?jǐn)?shù)試驗(yàn)方法 溶解法》（GB/T 41737-2022）
SiC具有高強(qiáng)度、高模量等特性，是應(yīng)用廣泛的一種增強(qiáng)體。在Al合金中引入SiCp，可大幅度提高材料彈性模量，改善高低溫強(qiáng)度等性能。SiCp/Al材料具有優(yōu)良性能及高性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，在航空航天、汽車、電子等領(lǐng)域內(nèi)有廣闊應(yīng)用前景。
該標(biāo)準(zhǔn)由TC572（全國碳纖維標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)）歸口，主管部門為國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)。主要起草單位為江蘇省產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)研究院、中鋁材料應(yīng)用研究院有限公司等。
陶瓷軸承相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
在現(xiàn)代工業(yè)中，高溫、低溫、高速、強(qiáng)腐蝕、真空、無磁、絕緣、免維護(hù)等苛刻環(huán)境下，傳統(tǒng)金屬材質(zhì)軸承無法滿足使用要求，于是人們把目光投向了先進(jìn)陶瓷材料，與傳統(tǒng)金屬材質(zhì)相比，以氮化硅為代表的陶瓷軸承具有長壽命、耐高溫、耐腐蝕和超高速等優(yōu)異的綜合性能，被廣泛應(yīng)用于航空航天、核能、冶金、石油、化工等工業(yè)領(lǐng)域。
《滾動(dòng)軸承球用氮化硅材料 室溫壓痕斷裂阻力試驗(yàn)方法 壓痕法》（GB/T 41605-2022）
該標(biāo)準(zhǔn)由TC194（全國工業(yè)陶瓷標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)）歸口，主管部門為中國建筑材料聯(lián)合會(huì)。主要起草單位有中材高新氮化物陶瓷有限公司、山東工業(yè)陶瓷研究設(shè)計(jì)院有限公司、合肥匯智新材料科技有限公司、深圳市昊擎科技有限公司、浙江精久軸承工業(yè)有限公司、江西工陶院精細(xì)陶瓷有限公司、江蘇力星通用鋼球股份有限公司、洛陽LYC軸承有限公司、泰晟新材料科技有限公司、山東國瓷功能材料股份有限公司、東阿海鷗鋼球有限公司等。
《滾動(dòng)軸承 陶瓷圓柱滾子 外形尺寸、產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范（GPS）和公差值》
該標(biāo)準(zhǔn)由TC98（全國滾動(dòng)軸承標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)）歸口，主管部門為中國機(jī)械工業(yè)聯(lián)合會(huì)。主要起草單位有洛陽軸承研究所有限公司、常熟長城軸承有限公司、國創(chuàng)（洛陽）軸承產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司、江蘇力星通用鋼球股份有限公司等。
鈦酸鋇基高抗電強(qiáng)度低電阻率熱敏陶瓷（GB/T 41606-2022）
該標(biāo)準(zhǔn)由TC194（全國工業(yè)陶瓷標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)）歸口，主管部門為中國建筑材料聯(lián)合會(huì)。主要起草單位有華中科技大學(xué)、孝感華工高理電子有限公司、江蘇新林芝電子科技股份有限公司、湖南省美程陶瓷科技有限公司、浙江哈億曼電子科技有限公司、深圳安培龍科技股份有限公司、上海子譽(yù)電子陶瓷有限公司、貴州凱里經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)中昊電子有限公司、佛山市南海蜂窩電子制品有限公司、寧波桑尼電子有限公司、宜都市博通電子有限責(zé)任公司、湖北亞星電子材料有限公司、山東工業(yè)陶瓷研究設(shè)計(jì)院有限公司等。
《氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測(cè)試方法》（GB/T 41751-2022）
氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體代表材料目前已被廣泛應(yīng)用于各種光電子器件和電力電子器件，對(duì)于氮化鎵半導(dǎo)體材料而言，其單晶的生長和加工二者相輔相成，缺一不可。單晶加工技術(shù)是器件制備的基礎(chǔ)和保障，任何生長獲得的單晶材料只有在高效的加工技術(shù)的支撐下得到表面平整的晶片，其優(yōu)異性能才可以在器件中獲得完美體現(xiàn)，其中，晶面曲率半徑是判定晶片平整度的重要指標(biāo)。
國家標(biāo)準(zhǔn)《氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測(cè)試方法》（GB/T 41751-2022）由TC203（全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)）歸口，TC203SC2（全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)）執(zhí)行，主管部門為國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)。主要起草單位有中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、蘇州納維科技有限公司、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、哈爾濱奧瑞德光電技術(shù)有限公司、廈門柯譽(yù)爾科技有限公司、山西華晶恒基新材料有限公司、福建兆元光電有限公司等 。
信息來源：全國標(biāo)準(zhǔn)信息公共服務(wù)平臺(tái)
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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