中國粉體網(wǎng)訊 多晶硅被喻為光伏產(chǎn)業(yè)的“基石”,是硅產(chǎn)業(yè)鏈中極為重要的中間產(chǎn)品,也是集成電路和光伏產(chǎn)業(yè)最源頭的環(huán)節(jié),是發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)和光伏產(chǎn)業(yè)的根基。
什么是多晶硅
多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài),熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,若這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。
圖片來源:天瑞硅材料
多晶硅是用冶金級硅粉通過化學(xué)、物理途徑提純制得。多晶硅按純度分類可以分為太陽能級多晶硅和電子級多晶硅。前者是生產(chǎn)太陽能光伏電池的基礎(chǔ)材料;后者主要用于半導(dǎo)體工業(yè)和電子信息產(chǎn)業(yè)。我國的多晶硅生產(chǎn)技術(shù)難度大、投資成本高,發(fā)展相當(dāng)緩慢,所需的電子級多晶硅大部分依賴進(jìn)口。
多晶硅生產(chǎn)工藝
1、改良西門子法
改良西門子法是一種化學(xué)方法,首先利用冶金硅(純度要求在99.5%以上)與氯化氫(HCl)合成產(chǎn)生便于提純的三氯氫硅氣體(SiHCl3,下文簡稱TCS),然后將 TCS 精餾提純,最后通過還原反應(yīng)和化學(xué)氣相沉積(CVD)將高純度的TCS轉(zhuǎn)化為高純度的多晶硅,還原后產(chǎn)生的尾氣進(jìn)行干法回收,實(shí)現(xiàn)了氫氣和氯硅烷閉路循環(huán)利用。
改良西門子法包括五個主要環(huán)節(jié):即 SiHCl3合成、SiHCl3精餾提純、SiHCl3的氫還原、尾氣的回收和SiCl4的氫化分離。
系列反應(yīng)式如下:
改良西門子法是目前生產(chǎn)多晶硅最為成熟、最容易擴(kuò)建的工藝; 目前,全球80%以上的多晶硅企業(yè)采用改良西門子法(閉環(huán)式三氯氫硅還原法)生產(chǎn)多晶硅,該法生產(chǎn)電子級多晶硅具有一定的優(yōu)勢,其沉積速率較快,安全性能較好,但是相比硅烷法(SiH4分解法)具有能耗高、副產(chǎn)品量較高、投資成本大等缺點(diǎn)。
2、硅烷法
硅烷法制備多晶硅主要技術(shù)是將冶金級硅粉與四氯化硅和氫氣轉(zhuǎn)化為三氯氫硅,再將三氯氫硅通過精餾工序提純及歧化反應(yīng),生成電子級硅烷氣送至多晶硅反應(yīng)器,通過化學(xué)氣相沉積(CVD)生長成多晶態(tài)硅棒。
硅烷法是利用硅烷熱分解的方法制備多晶硅,反應(yīng)溫度低,原料氣體硅烷易提純,雜質(zhì)含量可以得到嚴(yán)格的控制。主要工序及相應(yīng)化學(xué)反應(yīng)方程式如下。
3、冶金法
冶金法又稱物理冶金法,是指應(yīng)用冶金技術(shù)方法提純冶金級硅的過程,主要是以工業(yè)硅為原料,采用濕法冶金、真空熔煉、氧化精煉、定向凝固、特種場熔煉等技術(shù)組合而制備多晶硅的方法。
冶金法的特點(diǎn)是在提純過程中硅不參與任何化學(xué)反應(yīng),依靠硅與雜質(zhì)物理性質(zhì)的差異,通過冶金熔煉的方法將雜質(zhì)去除,從而獲得滿足太陽能電池性能需求的多晶硅。冶金法是近年來正在發(fā)展的一種低成本、低能耗和環(huán)境友好的多晶硅制備的新技術(shù)。
4、流化床法
流化床法制造多晶硅需要用到流化床反應(yīng)器,具體反應(yīng)過程如下:將SiHCl3和H2由底部注入到流化床反應(yīng)裝置中,在加熱器和預(yù)熱氣體的雙重作用下把床層溫度提高到反應(yīng)所需溫度。硅烷氣體通過被加熱的硅顆粒床層時分解生成硅和氫氣,硅在硅顆粒表面沉積,硅顆粒長大到一定尺寸后形成產(chǎn)品,從反應(yīng)器底部取出。在流化床法制備多晶硅過程中,可通過反應(yīng)氣體的進(jìn)口速率調(diào)節(jié)系統(tǒng)流態(tài)化和氣體停留時間,從而提高轉(zhuǎn)化率。
該方法與西門子法相比主要具有以下優(yōu)勢:
第一,可以進(jìn)行連續(xù)生產(chǎn),生產(chǎn)過程中不需要停頓,因而具有極高的生產(chǎn)效率。
第二,能量轉(zhuǎn)化率較高,與西門子法相比,可以在很大程度上降低能耗。
第三,反應(yīng)物為流動狀態(tài),有效地保障了反應(yīng)物之間能夠充分接觸,進(jìn)而提高反應(yīng)效率,縮短反應(yīng)時間。
5、硅石碳熱還原法
硅石碳熱還原法是利用C來還原SiO2進(jìn)行多晶硅的制備,反應(yīng)方程式如下:SiO2+C=Si+CO2。這種多晶硅制備方法經(jīng)過Sintef公司改進(jìn)后,生產(chǎn)過程如下:在離子回轉(zhuǎn)爐中通過C對SiO2進(jìn)行還原,得到產(chǎn)物SiC,再將SiC投入到電弧爐中繼續(xù)和SiO2反應(yīng),可以得到液態(tài)的硅。
實(shí)驗(yàn)表明,這種液態(tài)硅中雜質(zhì)含量非常少,幾乎只有C這一種雜質(zhì)。為了去除液態(tài)硅中的C元素,首先,需要將液態(tài)硅進(jìn)行冷卻處理,使溫度逐漸降下來,再對硅中的C進(jìn)行精煉,將硅進(jìn)行提純。當(dāng)溫度降低后,C將會與Si發(fā)生反應(yīng)生成SiC,進(jìn)而讓C從硅中分離出來。然后,向反應(yīng)裝置中注入Ar/H2O氣體,讓Si中殘留的C元素能夠以CO的形式分離出去。最后,使提純后的硅定向結(jié)晶,進(jìn)而得到多晶硅。通過這種方法得到的多晶硅,其中C元素的含量不超過0.0005%,由此可見,硅石碳熱還原法得到的多晶硅的純度相當(dāng)之高。
6、電解法
電解法采用電解硅酸鹽的方式得到純度較高的硅,在電解裝置中,以C作為陽極,反應(yīng)溫度控制在1000℃,在經(jīng)過一段時間的電解反應(yīng)后,Si單質(zhì)將會在陰極上附著,陽極生成CO2氣體。
電解反應(yīng)對電極材料的要求較高,這是因?yàn)樵陔娊夥磻?yīng)中,尤其是溫度較高的反應(yīng)條件下,電極極易發(fā)生腐蝕,進(jìn)而將新的雜質(zhì)引入反應(yīng)體系中,如B、P等,對硅的純度造成影響。以CaCl2作為熔鹽電解為例,使用石墨作為陽極,陰極采用特制材料。電解完成后,需要將陰極置于真空環(huán)境,通過熔點(diǎn)的不同可以將Si與陰極材料進(jìn)行分離,通過這種方法得到的硅的純度可以達(dá)到99.8%,在很大程度上避免了B、P等雜質(zhì)對硅的污染,極大地提高了多晶硅的純度。
7、氣液沉積法
氣液沉積法(VLD法)由日本Tokuyama公司研發(fā),反應(yīng)物質(zhì)為SiHCl3和H2,通過這兩種物質(zhì)來制備多晶硅。SiHCl3與H2的反應(yīng)需要在石墨管中進(jìn)行,反應(yīng)溫度需要控制在1500℃左右。反應(yīng)物由石墨管的上部注入,經(jīng)過一段時間的反應(yīng)后,生成的Si將會以液態(tài)的形式聚集在石墨管的底部。
這種制備多晶硅的方式與西門子法相比,減少了硅棒破碎的過程。與流化床法相比,有效地解決了反應(yīng)器壁沉積的問題,促使Si的生成效率大幅度提高。
結(jié)語
任何技術(shù)的廣泛采用取決于生產(chǎn)付現(xiàn)成本、投資成本、產(chǎn)品質(zhì)量、規(guī)模化能力、技術(shù)成熟度、改進(jìn)空間和技術(shù)的可獲得性。未來5至10年內(nèi)改良西門子法和硅烷法兩種工藝仍將并存,前者仍占主導(dǎo)地位,后者隨著工藝和設(shè)備成熟度提高,將逐步提升市場份額。
(中國粉體網(wǎng)編輯整理/星耀)
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