電子信息技術(shù)的高速發(fā)展對(duì)電子材料及元器件技術(shù)不斷提出新的要求，推動(dòng)其產(chǎn)品升級(jí)換代。我國(guó)電子材料業(yè)經(jīng)過“十五”期間的發(fā)展，在各個(gè)領(lǐng)域取得了一定的成效，為“十一五”的發(fā)展奠定了良好的基礎(chǔ)。
半導(dǎo)體、平板顯示材料、無鉛焊料需求增長(zhǎng)
目前，電子元器件正進(jìn)入以新型電子元器件為主體的時(shí)代，它將基本上取代傳統(tǒng)元器件，由原來只為適應(yīng)整機(jī)的小型化及其裝配新工藝的要求，變成為滿足數(shù)字技術(shù)、微電子技術(shù)發(fā)展所提出的特性要求。另一方面，新型電子元器件技術(shù)的發(fā)展體現(xiàn)了當(dāng)代和今后電子元器件向多功能、數(shù)字化、模塊化、智能化、綠色化等發(fā)展的趨勢(shì)。
半導(dǎo)體硅材料大直徑化趨勢(shì)明顯，200mm繼續(xù)保持集成電路半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的主流地位，300mm硅晶片發(fā)展十分迅猛。2005年，全球在300mm生產(chǎn)線設(shè)備上的投資額從2004年的130.3億美元上升到2005年的184.1億美元，占所有硅片生產(chǎn)設(shè)備投資總額的比例從55%上升到62%，產(chǎn)量中300mm硅片在全部硅片的比例已從2004年的12%上升到2005年的20%多，超過了1.5億平方英寸，預(yù)計(jì)2006年將達(dá)到2億平方英寸。
隨著信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，中國(guó)巨大市場(chǎng)需求的拉動(dòng)，中國(guó)半導(dǎo)體、元器件產(chǎn)業(yè)連續(xù)多年增長(zhǎng)速度位居世界首位。隨著國(guó)內(nèi)技術(shù)水平不斷提高以及人才、資源方面的優(yōu)勢(shì)，國(guó)外材料制造業(yè)逐步向中國(guó)內(nèi)地轉(zhuǎn)移。特別是光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，進(jìn)一步刺激了多晶硅、單晶硅等基礎(chǔ)材料需求量的不斷增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2006年國(guó)內(nèi)多晶硅的需求量將超過3000噸。四川新光硅業(yè)科技有限公司等企業(yè)千噸級(jí)多晶硅生產(chǎn)線的建設(shè)或投產(chǎn)，將有助于緩解供需緊張的局面。
中國(guó)半導(dǎo)體集成電路、光伏產(chǎn)業(yè)2006年年增長(zhǎng)率在30%以上，雖然國(guó)際市場(chǎng)對(duì)4英寸、5英寸、6英寸硅片的需求在下降，但中國(guó)的生產(chǎn)還會(huì)持續(xù)多年，預(yù)計(jì)未來幾年小尺寸硅單晶的年產(chǎn)量仍在2500噸左右，8英寸、12英寸硅片產(chǎn)量將提升，逐步形成2～3個(gè)滿足100nm-45nm線寬集成電路需求的8英寸、12英寸硅拋光片和外延片的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地；將建設(shè)成6英寸～8英寸SOI、SiGe和應(yīng)變硅材料產(chǎn)業(yè)化示范工程。
在平板顯示用材料方面，未來幾年電子信息領(lǐng)域?qū)⒊霈F(xiàn)一個(gè)年產(chǎn)值2800億美元以上的大型市場(chǎng)，這就是以平板顯示為特點(diǎn)之一的新一代數(shù)字電視市場(chǎng)。而平板顯示器件中材料成本占到較大的比例，預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)LCD用基片玻璃需求量將達(dá)到3000萬平方米/年(其中TFT需求為1600萬平方米/年，TN、STN需求為1200萬平方米/年)；LCD用彩色濾光片國(guó)內(nèi)需求量將超過1000萬平方米。由于這些產(chǎn)品利潤(rùn)相對(duì)較大，大力發(fā)展這些材料，將成為中國(guó)經(jīng)濟(jì)新的增長(zhǎng)點(diǎn)。
歐盟RoHS及WEEE指令的陸續(xù)實(shí)施和我國(guó)《電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法》的出臺(tái)，半導(dǎo)體先進(jìn)封裝對(duì)無鉛焊料的需求將持續(xù)增長(zhǎng)，綠色環(huán)保技術(shù)升溫，無鉛化仍成為熱點(diǎn)。同時(shí)，各企業(yè)制定相關(guān)應(yīng)對(duì)措施，新型無鉛化產(chǎn)品層出不窮，大量無鉛材料被投入使用。中國(guó)年需求無鉛焊料約為7萬噸，占世界使用量的約35%，發(fā)展無鉛焊料勢(shì)在必行。
總之，2006年電子材料發(fā)展將持續(xù)穩(wěn)步增長(zhǎng)，尤其是多晶硅等基礎(chǔ)材料受光伏產(chǎn)業(yè)的影響，增長(zhǎng)迅速；而長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的部分電子材料，將繼續(xù)承受原材料漲價(jià)和較高的進(jìn)口關(guān)稅等壓力。國(guó)內(nèi)企業(yè)急需加強(qiáng)自主創(chuàng)新，掌握核心技術(shù)，重視自我技術(shù)的提升和自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù)，加大高檔電子信息材料規(guī)�；a(chǎn)和品牌宣傳，在機(jī)遇和挑戰(zhàn)中發(fā)展壯大。
科研與新品開發(fā)取得新進(jìn)展
去年，無鉛焊料和綠色環(huán)保材料的開發(fā)取得了較大進(jìn)展。在電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)錫焊料分會(huì)的組織下，生產(chǎn)企業(yè)自投資金，研制了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的錫銀銅添加稀土元素的無鉛合金焊料，已提供用戶試用認(rèn)定，并起草了無鉛合金焊料的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。無鹵元素的封裝材料和覆銅板材料在中科院化學(xué)研究所、東莞生益科技公司等覆銅板生產(chǎn)企業(yè)的開發(fā)也取得了一定突破。
中科院半導(dǎo)體所在研發(fā)半導(dǎo)體材料方面取得了一些科技成果，如：研究掌握了6英寸具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的大直徑砷化鎵單晶生長(zhǎng)熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、生長(zhǎng)控制及晶錠退火等技術(shù)，單晶重量達(dá)到5kg，晶體技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到同期國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平。同時(shí)開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的2英寸～6英寸砷化鎵開盒即用晶片的多線切割技術(shù)、超低損傷層的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)等，晶片技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。發(fā)明了用透射偏振差分譜法測(cè)試砷化鎵材料殘余應(yīng)力，此方法在國(guó)際尚屬首創(chuàng)。在“GaN基倒裝結(jié)構(gòu)功率型LED及關(guān)鍵技術(shù)”方面，成功研制出GaN基倒裝結(jié)構(gòu)功率型藍(lán)光、白光LED，綜合指標(biāo)在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位，部分指標(biāo)超過2005年國(guó)際同類器件的技術(shù)指標(biāo)。開發(fā)了一種光、電、熱綜合模擬的倒裝結(jié)構(gòu)LED的設(shè)計(jì)方法，在國(guó)際上首次提出并實(shí)現(xiàn)了一種具有熱阻背孔結(jié)構(gòu)過渡熱沉的倒裝功率型LED芯片，申請(qǐng)受理國(guó)際和國(guó)內(nèi)專利各一項(xiàng)，連續(xù)12個(gè)批次(1個(gè)批次6片)的工程化研究，平均合格率達(dá)到80%。
通過長(zhǎng)飛光纖光纜公司、浙江富通集團(tuán)公司、江蘇法爾勝公司的技術(shù)攻關(guān)，使中國(guó)在光纖預(yù)制棒產(chǎn)業(yè)化技術(shù)上又有了新的突破，光棒直徑從2004年的80毫米做到現(xiàn)在的120毫米，拉絲長(zhǎng)度可達(dá)1000公里，光纖水峰衰減值降至0.29db/km。光纖預(yù)制棒用四氯化鍺在北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技公司的技術(shù)攻關(guān)下取得了非�？上驳某晒�，產(chǎn)品性能達(dá)到了國(guó)外同類產(chǎn)品水平，替代了進(jìn)口產(chǎn)品，市場(chǎng)占有率從40%提高到90%，并出口國(guó)際市場(chǎng)。
重大工程重點(diǎn)項(xiàng)目建設(shè)兩路并進(jìn)
2005年12月，年產(chǎn)300噸規(guī)模的多晶硅項(xiàng)目順利投產(chǎn)，標(biāo)志著中國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)在生產(chǎn)規(guī)模和技術(shù)水平方面有了一個(gè)很大的進(jìn)步。與此同時(shí)，1000噸多晶硅項(xiàng)目已破土動(dòng)工，預(yù)計(jì)2006年底竣工。
山東招遠(yuǎn)金寶電子公司承擔(dān)的國(guó)家發(fā)改委“高檔電解銅箔產(chǎn)業(yè)化”示范項(xiàng)目，自主設(shè)計(jì)了一條投資少、技術(shù)水平高、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)線，在同等生產(chǎn)規(guī)模的情況下，投資比國(guó)外節(jié)省1/3，生產(chǎn)成本低10%左右，產(chǎn)品技術(shù)水平達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)能力，在國(guó)內(nèi)同行業(yè)起到了良好的示范作用。
珠海功控玻璃纖維公司生產(chǎn)的覆銅板生產(chǎn)用電子級(jí)玻璃布(7628布)，在性能和生產(chǎn)規(guī)模上有了較大提升，企業(yè)規(guī)模已進(jìn)入世界五強(qiáng)之列，特別是“開纖技術(shù)”的攻關(guān)在2005年取得了重大突破，促進(jìn)了多層印制電路板用材料的發(fā)展。
北京石晶光電科技公司在承擔(dān)的國(guó)家發(fā)改委“光電信息產(chǎn)品用高品質(zhì)石英晶體材料高技術(shù)示范工程”項(xiàng)目上已取得相當(dāng)大的進(jìn)展，使其從單一的壓電石英晶體材料轉(zhuǎn)向壓電石英晶體材料和光學(xué)石英晶體材料相結(jié)合的生產(chǎn)企業(yè)，成為國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、產(chǎn)品質(zhì)量最好的石英晶體材料生產(chǎn)基地。
半導(dǎo)體、平板顯示材料、無鉛焊料需求增長(zhǎng)
目前，電子元器件正進(jìn)入以新型電子元器件為主體的時(shí)代，它將基本上取代傳統(tǒng)元器件，由原來只為適應(yīng)整機(jī)的小型化及其裝配新工藝的要求，變成為滿足數(shù)字技術(shù)、微電子技術(shù)發(fā)展所提出的特性要求。另一方面，新型電子元器件技術(shù)的發(fā)展體現(xiàn)了當(dāng)代和今后電子元器件向多功能、數(shù)字化、模塊化、智能化、綠色化等發(fā)展的趨勢(shì)。
半導(dǎo)體硅材料大直徑化趨勢(shì)明顯，200mm繼續(xù)保持集成電路半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的主流地位，300mm硅晶片發(fā)展十分迅猛。2005年，全球在300mm生產(chǎn)線設(shè)備上的投資額從2004年的130.3億美元上升到2005年的184.1億美元，占所有硅片生產(chǎn)設(shè)備投資總額的比例從55%上升到62%，產(chǎn)量中300mm硅片在全部硅片的比例已從2004年的12%上升到2005年的20%多，超過了1.5億平方英寸，預(yù)計(jì)2006年將達(dá)到2億平方英寸。
隨著信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，中國(guó)巨大市場(chǎng)需求的拉動(dòng)，中國(guó)半導(dǎo)體、元器件產(chǎn)業(yè)連續(xù)多年增長(zhǎng)速度位居世界首位。隨著國(guó)內(nèi)技術(shù)水平不斷提高以及人才、資源方面的優(yōu)勢(shì)，國(guó)外材料制造業(yè)逐步向中國(guó)內(nèi)地轉(zhuǎn)移。特別是光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，進(jìn)一步刺激了多晶硅、單晶硅等基礎(chǔ)材料需求量的不斷增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2006年國(guó)內(nèi)多晶硅的需求量將超過3000噸。四川新光硅業(yè)科技有限公司等企業(yè)千噸級(jí)多晶硅生產(chǎn)線的建設(shè)或投產(chǎn)，將有助于緩解供需緊張的局面。
中國(guó)半導(dǎo)體集成電路、光伏產(chǎn)業(yè)2006年年增長(zhǎng)率在30%以上，雖然國(guó)際市場(chǎng)對(duì)4英寸、5英寸、6英寸硅片的需求在下降，但中國(guó)的生產(chǎn)還會(huì)持續(xù)多年，預(yù)計(jì)未來幾年小尺寸硅單晶的年產(chǎn)量仍在2500噸左右，8英寸、12英寸硅片產(chǎn)量將提升，逐步形成2～3個(gè)滿足100nm-45nm線寬集成電路需求的8英寸、12英寸硅拋光片和外延片的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地；將建設(shè)成6英寸～8英寸SOI、SiGe和應(yīng)變硅材料產(chǎn)業(yè)化示范工程。
在平板顯示用材料方面，未來幾年電子信息領(lǐng)域?qū)⒊霈F(xiàn)一個(gè)年產(chǎn)值2800億美元以上的大型市場(chǎng)，這就是以平板顯示為特點(diǎn)之一的新一代數(shù)字電視市場(chǎng)。而平板顯示器件中材料成本占到較大的比例，預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)LCD用基片玻璃需求量將達(dá)到3000萬平方米/年(其中TFT需求為1600萬平方米/年，TN、STN需求為1200萬平方米/年)；LCD用彩色濾光片國(guó)內(nèi)需求量將超過1000萬平方米。由于這些產(chǎn)品利潤(rùn)相對(duì)較大，大力發(fā)展這些材料，將成為中國(guó)經(jīng)濟(jì)新的增長(zhǎng)點(diǎn)。
歐盟RoHS及WEEE指令的陸續(xù)實(shí)施和我國(guó)《電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法》的出臺(tái)，半導(dǎo)體先進(jìn)封裝對(duì)無鉛焊料的需求將持續(xù)增長(zhǎng)，綠色環(huán)保技術(shù)升溫，無鉛化仍成為熱點(diǎn)。同時(shí)，各企業(yè)制定相關(guān)應(yīng)對(duì)措施，新型無鉛化產(chǎn)品層出不窮，大量無鉛材料被投入使用。中國(guó)年需求無鉛焊料約為7萬噸，占世界使用量的約35%，發(fā)展無鉛焊料勢(shì)在必行。
總之，2006年電子材料發(fā)展將持續(xù)穩(wěn)步增長(zhǎng)，尤其是多晶硅等基礎(chǔ)材料受光伏產(chǎn)業(yè)的影響，增長(zhǎng)迅速；而長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的部分電子材料，將繼續(xù)承受原材料漲價(jià)和較高的進(jìn)口關(guān)稅等壓力。國(guó)內(nèi)企業(yè)急需加強(qiáng)自主創(chuàng)新，掌握核心技術(shù)，重視自我技術(shù)的提升和自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù)，加大高檔電子信息材料規(guī)�；a(chǎn)和品牌宣傳，在機(jī)遇和挑戰(zhàn)中發(fā)展壯大。
科研與新品開發(fā)取得新進(jìn)展
去年，無鉛焊料和綠色環(huán)保材料的開發(fā)取得了較大進(jìn)展。在電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)錫焊料分會(huì)的組織下，生產(chǎn)企業(yè)自投資金，研制了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的錫銀銅添加稀土元素的無鉛合金焊料，已提供用戶試用認(rèn)定，并起草了無鉛合金焊料的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。無鹵元素的封裝材料和覆銅板材料在中科院化學(xué)研究所、東莞生益科技公司等覆銅板生產(chǎn)企業(yè)的開發(fā)也取得了一定突破。
中科院半導(dǎo)體所在研發(fā)半導(dǎo)體材料方面取得了一些科技成果，如：研究掌握了6英寸具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的大直徑砷化鎵單晶生長(zhǎng)熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、生長(zhǎng)控制及晶錠退火等技術(shù)，單晶重量達(dá)到5kg，晶體技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到同期國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平。同時(shí)開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的2英寸～6英寸砷化鎵開盒即用晶片的多線切割技術(shù)、超低損傷層的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)等，晶片技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。發(fā)明了用透射偏振差分譜法測(cè)試砷化鎵材料殘余應(yīng)力，此方法在國(guó)際尚屬首創(chuàng)。在“GaN基倒裝結(jié)構(gòu)功率型LED及關(guān)鍵技術(shù)”方面，成功研制出GaN基倒裝結(jié)構(gòu)功率型藍(lán)光、白光LED，綜合指標(biāo)在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位，部分指標(biāo)超過2005年國(guó)際同類器件的技術(shù)指標(biāo)。開發(fā)了一種光、電、熱綜合模擬的倒裝結(jié)構(gòu)LED的設(shè)計(jì)方法，在國(guó)際上首次提出并實(shí)現(xiàn)了一種具有熱阻背孔結(jié)構(gòu)過渡熱沉的倒裝功率型LED芯片，申請(qǐng)受理國(guó)際和國(guó)內(nèi)專利各一項(xiàng)，連續(xù)12個(gè)批次(1個(gè)批次6片)的工程化研究，平均合格率達(dá)到80%。
通過長(zhǎng)飛光纖光纜公司、浙江富通集團(tuán)公司、江蘇法爾勝公司的技術(shù)攻關(guān)，使中國(guó)在光纖預(yù)制棒產(chǎn)業(yè)化技術(shù)上又有了新的突破，光棒直徑從2004年的80毫米做到現(xiàn)在的120毫米，拉絲長(zhǎng)度可達(dá)1000公里，光纖水峰衰減值降至0.29db/km。光纖預(yù)制棒用四氯化鍺在北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技公司的技術(shù)攻關(guān)下取得了非�？上驳某晒�，產(chǎn)品性能達(dá)到了國(guó)外同類產(chǎn)品水平，替代了進(jìn)口產(chǎn)品，市場(chǎng)占有率從40%提高到90%，并出口國(guó)際市場(chǎng)。
重大工程重點(diǎn)項(xiàng)目建設(shè)兩路并進(jìn)
2005年12月，年產(chǎn)300噸規(guī)模的多晶硅項(xiàng)目順利投產(chǎn)，標(biāo)志著中國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)在生產(chǎn)規(guī)模和技術(shù)水平方面有了一個(gè)很大的進(jìn)步。與此同時(shí)，1000噸多晶硅項(xiàng)目已破土動(dòng)工，預(yù)計(jì)2006年底竣工。
山東招遠(yuǎn)金寶電子公司承擔(dān)的國(guó)家發(fā)改委“高檔電解銅箔產(chǎn)業(yè)化”示范項(xiàng)目，自主設(shè)計(jì)了一條投資少、技術(shù)水平高、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)線，在同等生產(chǎn)規(guī)模的情況下，投資比國(guó)外節(jié)省1/3，生產(chǎn)成本低10%左右，產(chǎn)品技術(shù)水平達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)能力，在國(guó)內(nèi)同行業(yè)起到了良好的示范作用。
珠海功控玻璃纖維公司生產(chǎn)的覆銅板生產(chǎn)用電子級(jí)玻璃布(7628布)，在性能和生產(chǎn)規(guī)模上有了較大提升，企業(yè)規(guī)模已進(jìn)入世界五強(qiáng)之列，特別是“開纖技術(shù)”的攻關(guān)在2005年取得了重大突破，促進(jìn)了多層印制電路板用材料的發(fā)展。
北京石晶光電科技公司在承擔(dān)的國(guó)家發(fā)改委“光電信息產(chǎn)品用高品質(zhì)石英晶體材料高技術(shù)示范工程”項(xiàng)目上已取得相當(dāng)大的進(jìn)展，使其從單一的壓電石英晶體材料轉(zhuǎn)向壓電石英晶體材料和光學(xué)石英晶體材料相結(jié)合的生產(chǎn)企業(yè)，成為國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、產(chǎn)品質(zhì)量最好的石英晶體材料生產(chǎn)基地。
