中國粉體網(wǎng)訊  蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司日前發(fā)布了首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市發(fā)行結(jié)果公告，其股票簡稱為東微半導(dǎo)，股票代碼為688261，這也意味著，東微半導(dǎo)即將在上交所科創(chuàng)板上市。

公開資料顯示，東微半導(dǎo)是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動型半導(dǎo)體企業(yè)，其產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。公司憑借優(yōu)秀的半導(dǎo)體器件與工藝創(chuàng)新能力，集中優(yōu)勢資源聚焦新型功率器件的開發(fā)，是國內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗的高性能功率器件設(shè)計公司之一，并在應(yīng)用于工業(yè)級領(lǐng)域的高壓超級結(jié)、中低壓SGT功率器件、IGBT芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國產(chǎn)化替代。從公司的公開資料中可以看出東微半導(dǎo)更多地強調(diào)其技術(shù)的原創(chuàng)性，并依托對器件結(jié)構(gòu)和工藝的創(chuàng)新凸顯產(chǎn)品的領(lǐng)先性，在國內(nèi)眾多功率半導(dǎo)體廠商中獨樹一幟。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。

除加碼當(dāng)前炙手可熱的IGBT外，東微半導(dǎo)于2021年7月立項了第三代半導(dǎo)體SiC功率器件自主研發(fā)項目，主要針對以碳化硅的為襯底的第三代半導(dǎo)體材料功率器件進(jìn)行研發(fā)。

功率器件行業(yè)發(fā)展到IGBT(絕緣柵雙極晶體管)時期，硅基器件的性能已經(jīng)接近極限，邊際成本越來越高，而半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)仍對高功率、高頻切換、高溫操作、高功率密度等有著越來越多的需求，因此以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等第三代半導(dǎo)體材料為核心的寬禁帶功率器件成為了研究熱點與新發(fā)展方向，并逐步進(jìn)入應(yīng)用量產(chǎn)階段。SiC功率半導(dǎo)體的發(fā)展改善了功率開關(guān)器件的硬開關(guān)特性，耐壓可達(dá)數(shù)萬伏，耐溫可達(dá)500℃以上，其性能優(yōu)勢如下：

(1)寬禁帶可大幅減小泄漏電流，從而減少高功率器件損耗；

(2)高擊穿場強可提高功率器件耐壓能力與電流密度，減小整體尺寸；

(3)高熱導(dǎo)率可改善耐高溫能力，有助于器件散熱，減小散熱設(shè)備體積，提高集成度，增加功率密度；

(4)強抗輻射能力，更適合在外太空等輻照條件下應(yīng)用。理論上，SiC器件是實現(xiàn)高壓、高溫、高頻、高功率及抗輻射相結(jié)合的理想材料，主要應(yīng)用于大功率場合，可實現(xiàn)模塊及應(yīng)用系統(tǒng)的小型化、集成化，提高功率密度和系統(tǒng)效率。

隨著SiC功率器件產(chǎn)業(yè)鏈中各項技術(shù)的進(jìn)一步完善，未來各種SiC功率器件會在成品率、可靠性和成本方面取得很大改善，從而進(jìn)入全面推廣應(yīng)用的階段，將引發(fā)電力電子技術(shù)的新革命。

參考來源：集微網(wǎng)、中國粉體網(wǎng)、百度百科

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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