中國粉體網(wǎng)訊  近日，國資委公布第三屆中央企業(yè)熠星創(chuàng)新創(chuàng)意大賽獲獎名單，國宏中宇第三代半導(dǎo)體“大尺寸碳化硅單晶襯底片項目”赫然在列，榮獲大賽三等獎。據(jù)悉此次大賽共吸引3340個項目、2.3萬余人報名參賽。共有516個項目面向社會進行投資路演和對接， 最終有100個項目獲得一二三等獎，另有100個項目榮獲優(yōu)秀獎。

碳化硅做為第三代半導(dǎo)體的核心材料，擁有更高的禁帶寬度、電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性，將是未來最被廣泛使用的制作半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)材料，將在諸如新能源汽車和5G射頻器件等高功率和高頻高速領(lǐng)域大展身手。IHS數(shù)據(jù)顯示，未來全球碳化硅功率器件市場規(guī)模將由2018年的4億美元，增長至2027年100億美元，復(fù)合年增長率將達40%；而碳化硅襯底材料市場規(guī)模將從2018年的1.21億美元增長至2027年的30億美元，復(fù)合年增長率44%。

國宏中宇科技發(fā)展有限公司成立于2017年，由中科鋼研節(jié)能科技有限公司創(chuàng)設(shè)（中國鋼研科技集團混改企業(yè)、國資委雙百企業(yè)），是致力于碳化硅半導(dǎo)體材料及專用裝備研發(fā)與生產(chǎn)的科研創(chuàng)新型企業(yè)。公司秉承創(chuàng)新發(fā)展是第一生產(chǎn)力的理念始終以科技創(chuàng)新、技術(shù)進步為發(fā)展理念，以“第三代半導(dǎo)體材料制備關(guān)鍵共性技術(shù)北京市工程實驗室”的科研成果為基礎(chǔ)，進行自主研發(fā)和融合創(chuàng)新，在材料自身制備工藝需求基礎(chǔ)上，自主研制了多種核心工藝裝備，制備出性能優(yōu)良的碳化硅原料、單晶、襯底片等材料。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/星耀）

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