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        寧波新材料五年發(fā)展規(guī)劃出爐,第三代半導(dǎo)體、光刻膠等被提及


        來源:愛集微

        [導(dǎo)讀]  寧波新材料五年發(fā)展規(guī)劃出爐,第三代半導(dǎo)體、光刻膠等被提及

        中國粉體網(wǎng)訊  7月27日,寧波市經(jīng)信局發(fā)布《寧波市新材料產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展規(guī)劃(2021-2025)》(以下簡稱《規(guī)劃》),寧波市是全國首批7個(gè)新材料產(chǎn)業(yè)國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地之一,產(chǎn)業(yè)規(guī)模全國領(lǐng)先。



        根據(jù)《規(guī)劃》,到2025年,寧波化工新材料、稀土永磁材料、電子信息材料、金屬新材料等領(lǐng)域集聚優(yōu)勢更加突出,引領(lǐng)國內(nèi)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在大尺寸單晶硅片、超高純電子材料、石墨烯、高品質(zhì)電子化學(xué)品等部分細(xì)分領(lǐng)域達(dá)到國際先進(jìn)水平。


        《規(guī)劃》圍繞做大做強(qiáng)五大領(lǐng)域、重點(diǎn)提升四大領(lǐng)域、重點(diǎn)培育前沿領(lǐng)域等重點(diǎn)領(lǐng)域。


        在做大做強(qiáng)五大領(lǐng)域方面,電子信息材料發(fā)展重點(diǎn):


        (1)發(fā)展集成電路用大尺寸硅片及外延片,氮化鎵、碳化硅、氧化鋅等寬禁帶第三代半導(dǎo)體材料,引線框架,鍵合銅絲、掩膜版等輔助材料,CMP拋光材料、DUV/EUV級光刻膠、電子特種氣體、超高純化學(xué)試劑、蝕刻液等電子化學(xué)品。


        (2)發(fā)展超高純鈦、鋁、鉭、銅等金屬濺射靶材,保障大規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體芯片、液晶顯示、太陽能板等領(lǐng)域需要。


        (3)發(fā)展平板顯示TFT液晶顯示材料、OLED發(fā)光材料、TFT-LCD用偏光片材料,形成系列化產(chǎn)品。


        (4)發(fā)展LCP樹脂、特種環(huán)氧樹脂、PTFE樹脂、熱固性聚苯醚樹脂、導(dǎo)電涂料、導(dǎo)電導(dǎo)熱膠等原材料。


        (5)培育發(fā)展氧化鎵、金剛石、氮化鋁超寬禁帶第四代半導(dǎo)體材料,銻化銦、銻化鎵等超窄禁帶半導(dǎo)體材料。


        空間布局:支持浙江余姚經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)、寧波經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū),打造電子信息材料產(chǎn)業(yè)集群。



        此外,《規(guī)劃》還提出了培育自主可控的標(biāo)志性產(chǎn)業(yè)鏈、推進(jìn)重大項(xiàng)目建設(shè)、加快關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)、建設(shè)高端創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)平臺、培育千百億級有競爭力的企業(yè)梯隊(duì)、優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境、深化對外交流合作等主要任務(wù)。


        培育自主可控的標(biāo)志性產(chǎn)業(yè)鏈方面,寧波將完善產(chǎn)業(yè)鏈培育機(jī)制,重點(diǎn)加快打造化工新材料、稀土磁性材料標(biāo)志性產(chǎn)業(yè)鏈,培育電子信息材料、金屬新材料、功能膜材料等優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)鏈。電子信息材料重點(diǎn)向新型半導(dǎo)體材料拓展,推進(jìn)江豐陽明工業(yè)研究院產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)。



        推進(jìn)重大項(xiàng)目建設(shè)方面,寧波將加快推進(jìn)鎮(zhèn)海煉化、萬華、英力士苯領(lǐng)、復(fù)能、博威、中電化合物半導(dǎo)體、長陽等一批重大項(xiàng)目建設(shè),在產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)優(yōu)勢明顯的化工新材料、稀土磁性材料、金屬新材料、電子信息材料、功能膜材料等領(lǐng)域推進(jìn)一批行業(yè)領(lǐng)先水平的項(xiàng)目,進(jìn)一步提升產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)高級化、產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化。



        加快關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)方面,電子信息材料將重點(diǎn)突破大尺寸硅單晶體缺陷控制和雜質(zhì)工程技術(shù)、寬禁帶半導(dǎo)體低缺陷的外延生長技術(shù);大直徑、低位錯(cuò)GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體單晶材料生長及外延技術(shù)。量子點(diǎn)打印技術(shù)、量子點(diǎn)顯示技術(shù)、背光擴(kuò)散技術(shù)、熒光材料穩(wěn)定制備技術(shù),高分辨、環(huán)保QLED屏制備技術(shù),激光顯示技術(shù)。具有應(yīng)變穩(wěn)定、高靈敏度和寬量程等特性的柔性電子關(guān)鍵功能材料可控制備技術(shù),自修復(fù)性、生物兼容性和共形特性的柔性電子基體、導(dǎo)電關(guān)鍵共性材料可控制備技術(shù),柔性電子關(guān)鍵功能和共性材料制備技術(shù)。


        (中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)

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