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電子器件的散熱有多重要？

對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展功率器件的技術瓶頸。

（圖片來源：深圳市金瑞欣特種電路技術有限公司）

陶瓷基板材料選擇

良好的器件散熱依賴于優(yōu)化的散熱結構設計、封裝材料選擇（熱界面材料與散熱基板）及封裝制造工藝等。其中，基板材料的選用是關鍵環(huán)節(jié)，直接影響到器件成本、性能與可靠性。

目前，陶瓷基板雖然不是處于主導地位，但由于其良好的導熱性、耐熱性、絕緣性、低熱膨脹系數(shù)和成本的不斷降低，在電子封裝特別是功率電子器件如IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、LD（激光二極管）、大功率LED（發(fā)光二極管）、CPV（聚焦型光伏）封裝中的應用越來越廣泛。陶瓷基板材料主要有Al₂O₃、BeO、AlN、Si₃N₄、SiC等。

（1）Al₂O₃陶瓷基板

Al₂O₃陶瓷基板由于價格低廉、力學性能較好，而且工藝技術純熟，是目前應用最為廣泛的陶瓷基板材料。但是Al₂O₃陶瓷的熱導率較低（24W/(m•k），在一定程度上限制了其在大功率電子產(chǎn)品中的應用。

（2）BeO陶瓷基板

BeO陶瓷導熱性能優(yōu)良，綜合性能良好，能夠滿足較高的電子封裝要求，但是其熱導率隨溫度波動變化較大，溫度升高其熱導率大幅下降。此外，BeO有劇毒，已逐漸淡出封裝應用領域。

（3）SiC陶瓷基板

SiC陶瓷具有很高的熱導率，熱膨脹系數(shù)也與Si接近，而且SiC的物理性能較好，具有高耐磨性和高硬度，但是SiC是強共價鍵化合物，燒結溫度高達2000多攝氏度，而且需要加入少量的燒結助劑才能燒結致密，導致SiC陶瓷基板制備能耗大，生產(chǎn)成本高。

（4）Si₃N₄陶瓷基板

Si₃N₄陶瓷的熱導率與抗彎強度較高，能滿足集成電路向高集成化、多層化、輕型化等特性發(fā)展，另外Si₃N₄陶瓷的強度和斷裂韌性較高，耐熱疲勞性能良好，是一種有著良好發(fā)展前景的高熱導率高強度陶瓷基板材料。

（5）AlN陶瓷基板

AlN陶瓷作為一種新型的LED封裝基板材料，具有熱導率高（其理論熱導率可達320W/(m•k）)、強度高、熱膨脹系數(shù)低、介電損耗小、耐高溫及化學腐蝕，而且無毒環(huán)保等優(yōu)良性能，是被國內(nèi)外一致看好最具發(fā)展前景的一種陶瓷材料。

直接鍍銅陶瓷基板（DPC）

（圖片來源：同欣電子）

DPC又稱直接鍍銅陶瓷基板。其制作首先將陶瓷基片進行前處理清洗，利用真空濺射方式在基片表面沉積Ti/Cu層作為種子層，接著以光刻、顯影、刻蝕工藝完成線路制作，最后再以電鍍/化學鍍方式增加線路厚度，待光刻膠去除后完成基板制作。

DPC基板制備工藝流程

DPC的優(yōu)點與不足

優(yōu)點：

（1）低溫工藝（300℃以下），完全避免了高溫對材料或線路結構的不利影響，也降低了制造工藝成本。

（2）采用薄膜與光刻顯影技術，使基板上的金屬線路更加精細（線寬尺寸20~30μm，表面平整度低于0.3μm，線路對準精度誤差小于±1%），因此DPC基板非常適合對準精度要求較高的電子器件封裝。

缺點：

（1）電鍍沉積銅層厚度有限，且電鍍廢液污染大；

（2）金屬層與陶瓷間的結合強度較低，產(chǎn)品應用時可靠性較低；

（3）電鍍生長速度低，線路層厚度有限(一般控制在10μm~100μm)，難以滿足大電流功率器件封裝需求。

DPC關鍵技術

1、金屬線路層與陶瓷基片的結合強度

由于金屬與陶瓷間熱膨脹系數(shù)差較大，為降低界面應力，需要在銅層與陶瓷間增加過渡層，從而提高界面結合強度。由于過渡層與陶瓷間的結合力主要以擴散附著及化學鍵為主，因此常選擇Ti、Cr和Ni等活性較高、擴散性好的金屬作為過渡層(同時作為電鍍種子層)。

2、電鍍填孔

電鍍填孔也是DPC陶瓷基板制備的關鍵技術。目前DPC基板電鍍填孔大多采用脈沖電源，其技術優(yōu)勢包括：易于填充通孔，降低孔內(nèi)鍍層缺陷；表面鍍層結構致密，厚度均勻；可采用較高電流密度進行電鍍，提高沉積效率。

DPC基板應用

1、IGBT封裝

絕緣柵雙極晶體管以輸入阻抗高、開關速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高等特點，成為當今功率半導體器件發(fā)展主流。其應用小到變頻空調(diào)、靜音冰箱、洗衣機、電磁爐、微波爐等家用電器，大到電力機車牽引系統(tǒng)等。由于IGBT輸出功率高，發(fā)熱量大，因此對IGBT封裝而言，散熱是關鍵。目前IGBT封裝主要采用DBC陶瓷基板，原因在于DBC具有金屬層厚度大，結合強度高(熱沖擊性好)等特點。

2、LD封裝

激光二極管(LD)又稱半導體激光器，是一種基于半導體材料受激輻射原理的光電器件，具有體積小、壽命長、易于泵浦和集成等特點。廣泛應用于激光通信、光存儲、光陀螺、激光打印、測距以及雷達等領域。溫度與半導體激光器的輸出功率有較大關系。散熱是LD封裝關鍵。由于LD器件電流密度大，熱流密度高，陶瓷基板成為LD封裝的首選熱沉材料。

3、LED封裝

縱觀LED技術發(fā)展，功率密度不斷提高，對散熱的要求也越來越高。由于陶瓷具有的高絕緣、高導熱和耐熱、低膨脹等特性，特別是采用通孔互聯(lián)技術，可有效滿足LED倒裝、共晶、COB(板上芯片)、CSP(芯片規(guī)模封裝)、WLP(圓片封裝)封裝需求，適合中高功率LED封裝。

4、光伏(PV)模組封裝

光伏發(fā)電是根據(jù)光生伏特效應原理，利用太陽能電池將太陽光直接轉(zhuǎn)化為電能。由于聚焦作用導致太陽光密度增加，芯片溫度升高，必須采用陶瓷基板強化散熱。實際應用中，陶瓷基板表面的金屬層通過熱界面材料(TIM)分別與芯片和熱沉連接，熱量通過陶瓷基板快速傳導到金屬熱沉上，有效提高了系統(tǒng)光電轉(zhuǎn)換效率與可靠性。

中國粉體網(wǎng)將在鄭州舉辦“2021第四屆新型陶瓷技術與產(chǎn)業(yè)高峰論壇”。屆時，來自華中科技大學的陳明祥教授帶來題為《高性能陶瓷電路板技術研發(fā)與應用》的報告，陳明祥教授將重點介紹電鍍陶瓷基板（DPC）技術研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化及其在功率半導體、高溫電子器件、高頻晶振、小型熱電制冷器TEC等領域應用，并對相關技術發(fā)展進行展望。（鑒于當前防控需要，原定于2021年8月13-14日在鄭州喆鵬酒店舉辦的“第四屆新型陶瓷技術與產(chǎn)業(yè)高峰論壇”將延期舉辦，計劃參會的單位可以聯(lián)系會務組，具體舉辦日期主辦方確定后將第一時間通知您�。�

專家介紹：

陳明祥，華中科技大學機械學院教授/博士生導師，武漢光電國家研究中心研究員，廣東省珠江學者講座教授。本科和碩士畢業(yè)于武漢理工大學材料學院，博士畢業(yè)于華中科技大學光電學院，美國佐治亞理工學院封裝研究中心博士后。主要從事先進電子封裝與微納制造技術研究，主持和參與各類科研項目20余項，發(fā)表學術論文60余篇（其中SCI檢索40余篇），獲授權發(fā)明專利20余項（其中DPC陶瓷基板技術已通過專利轉(zhuǎn)讓實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化）。曾獲國家技術發(fā)明二等獎（2016）、教育部技術發(fā)明一等獎（2015）、武漢東湖高新區(qū)“3551光谷人才”（2012）、廣東省科學技術三等獎（2010）等。

參考來源：

[1]程浩，陳明祥等.電子封裝陶瓷基板

[2]程浩，陳明祥等.功率電子封裝用陶瓷基板技術與應用進展

[3]吳朝暉，陳明祥等.大功率LED封裝基板技術與發(fā)展現(xiàn)狀

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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