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        原位芯片氮化硅膜窗口為武漢理工大學(xué)新研究提供助力


        來源:集微網(wǎng)

        [導(dǎo)讀]  原位芯片為此次Co3O4和P1-Co3O4的晶體結(jié)構(gòu)的表征提供了氮化硅支撐膜。

        中國粉體網(wǎng)訊  近日,武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程國際化示范學(xué)院/材料復(fù)合新技術(shù)國家重點實驗室麥立強教授團隊利用微納器件研究了P摻雜氧化物在電化學(xué)活化過程中電導(dǎo)的連續(xù)演化,研究并證實了新形成的氧化物與P-O基團之間的誘導(dǎo)電子耦合。



        該團隊認為這種獨特的片上電化學(xué)微器件平臺也可以應(yīng)用于其他相關(guān)領(lǐng)域,以了解納米尺度下能量材料的動態(tài)行為。相關(guān)成果發(fā)表在《Nano Energy》上。


        該研究通過設(shè)計一種基于單個P1-Co3O4薄膜的平面電化學(xué)微器件,首次測量了重構(gòu)晶格磷摻雜Co3O4的電導(dǎo),建立了重構(gòu)過程中摻磷Co3O4的本征電導(dǎo)與電化學(xué)活性之間的關(guān)系,明確了本征電導(dǎo)對P摻雜Co3O4催化活性的影響。


        該研究還基于這種獨特的微器件平臺,通過原位I-V測量,實時監(jiān)測了重構(gòu)晶格磷摻雜Co3O4在OER過程中的電阻,并發(fā)現(xiàn)在高電位下,重構(gòu)的晶格磷摻雜Co3O4比原始合成的Co3O4具有更快的電荷轉(zhuǎn)移動力學(xué)。


        此外,該研究認為這種獨特的片上電化學(xué)微器件平臺也可以應(yīng)用于其它相關(guān)領(lǐng)域,以了解納米尺度下能量材料的動態(tài)行為。


        值得一提的是,原位芯片為此次Co3O4和P1-Co3O4的晶體結(jié)構(gòu)的表征提供了氮化硅支撐膜。


        據(jù)介紹,原位芯片的氮化硅膜最薄可至10nm,在保證超平整、超潔凈的質(zhì)量要求前提下,同時具有良好的機械強度,耐高溫特性以及表面導(dǎo)熱性。該研究正是利用了氮化硅膜的這些優(yōu)良特性,利用TEM透射電鏡對Co3O4和P1-Co3O4的晶體結(jié)構(gòu)進行了表征。


        據(jù)原位芯片官方消息,其自主研發(fā)的優(yōu)質(zhì)氮化硅薄膜窗口,為每一次實驗提供高效的觀測體驗。產(chǎn)品主要應(yīng)用于:SEM、TEM、X-Ray 顯微鏡觀測實驗。同時,原位芯片可用于觀測液體環(huán)境的氮化硅薄膜觀測窗口,更是打破國際壟斷,成為少數(shù)擁有生產(chǎn)液體芯片的公司之一。原位芯片在提供標準品的同時,也提供氮化硅薄膜窗口的定制服務(wù),助力實現(xiàn)更多科研可能。

         

        (中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)


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