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        院士伉儷的“半導(dǎo)體人生”——王圩、吳德馨


        來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)   茜茜

        [導(dǎo)讀]  舒婷的這首《致橡樹(shù)》用來(lái)形容攜手奮進(jìn),為半導(dǎo)體科研事業(yè)付出了一輩子心血的中國(guó)科學(xué)院院士王圩、吳德馨這對(duì)院士伉儷再適合不過(guò)了。從參加工作到今天,歷經(jīng)近60年風(fēng)雨,他們始終把為祖國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展奉獻(xiàn)力量作為奮斗的目標(biāo)。

        中國(guó)粉體網(wǎng)訊


        【前言】


        “你有你的銅枝鐵干,像刀,像劍,也像戟;

        我有我紅碩的花朵,像沉重的嘆息,又像英勇的火炬。

        我們分擔(dān)寒潮、風(fēng)雷、霹靂;

        我們共享霧靄、流嵐、虹霓。

        仿佛永遠(yuǎn)分離,卻又終身相依!


        舒婷的這首《致橡樹(shù)》用來(lái)形容攜手奮進(jìn),為半導(dǎo)體科研事業(yè)付出了一輩子心血的中國(guó)科學(xué)院院士王圩、吳德馨這對(duì)院士伉儷再適合不過(guò)了。從參加工作到今天,歷經(jīng)近60年風(fēng)雨,他們始終把為祖國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展奉獻(xiàn)力量作為奮斗的目標(biāo)。


         

        2015年金婚紀(jì)念日留影


        王圩院士


        王圩,男,1937年12月25日出生于河北省,畢業(yè)于北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體專業(yè)。


        ■1960年,畢業(yè)于北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體專業(yè)。

        ■1960年,到中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作至今,現(xiàn)任中科院半導(dǎo)體研究所研究員。

        ■1987年赴日本東京工業(yè)大學(xué)訪問(wèn)研究一年。

        ■1997年,當(dāng)選中國(guó)科學(xué)院院士。

        ■2001年—2005年,負(fù)責(zé)在研的項(xiàng)目是:國(guó)家“973”項(xiàng)目:“新型量子阱功能材料和器件”。

        ■2002年—2004年,國(guó)家自然基金重大項(xiàng)目:“光網(wǎng)絡(luò)用光放大器、電吸收調(diào)制器和模斑轉(zhuǎn)換器串接集成材料與器件的研究”。


        吳德馨院士


        吳德馨,女,半導(dǎo)體器件和集成電路專家,1936年12月20日生于河北樂(lè)亭,中國(guó)科學(xué)院微電子中心研究員。


        ■1936年12月20日,生于河北樂(lè)亭。

        ■1961年畢業(yè)于清華大學(xué)無(wú)線電電子工程系。

        ■1991年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士(學(xué)部委員)。

        ■1992年被國(guó)家科委聘為“深亞微米結(jié)構(gòu)器件和介觀物理”項(xiàng)目首席科學(xué)家。 


        吳德馨院士從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究,曾獲國(guó)家和中科院一等獎(jiǎng)3項(xiàng)。


        相遇——經(jīng)常交流慢慢就有了好印象


        1956年國(guó)家開(kāi)始編制《十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展規(guī)劃》(《1956~1967年科技發(fā)展規(guī)劃》),這是新中國(guó)第一個(gè)長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃,提出對(duì)當(dāng)時(shí)國(guó)家新技術(shù)發(fā)展的“四項(xiàng)緊急措施”——計(jì)算機(jī)、電子學(xué)、半導(dǎo)體、自動(dòng)化,要求相關(guān)部門集中全國(guó)科技力量,進(jìn)行人員培養(yǎng)和科技攻關(guān)。由此,中科院物理研究所半導(dǎo)體研究室成立,1960年,在研究室為基礎(chǔ),擴(kuò)大為中科院半導(dǎo)體研究所。上世紀(jì)60年代初,同為半導(dǎo)體專業(yè)的王圩(1960年畢業(yè))、吳德馨(1961年畢業(yè))先后畢業(yè)分配到中科院半導(dǎo)體研究所。據(jù)兩位院士在一次采訪中透露。


        王圩:相識(shí)是很自然的過(guò)程。我們畢業(yè)之后都被分配到了半導(dǎo)體研究所。她在器件室,做硅的器件,晶體管之類。我在林蘭英先生領(lǐng)導(dǎo)下的材料室,最初來(lái)到所里是做硅單晶。他們需要硅單晶作為基片來(lái)做晶體管。她就總要到我們組里來(lái)要材料,這樣就認(rèn)識(shí)了。


        吳德馨:是,材料有了問(wèn)題還得找他們研究改進(jìn),經(jīng)常交流慢慢就有了好的印象。


         

        1967年  年輕時(shí)期的他們


        相互扶持與理解


        王圩:生活上沒(méi)得說(shuō),就是相互扶持。那時(shí)候搞研究也是加班加點(diǎn),老人又年紀(jì)大了,家庭負(fù)擔(dān)比較重,孩子不到一歲就送了全托。


        研究上,我做光電子,她做微電子,有很多地方可以互相交流。比如她現(xiàn)在做的垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL),有些就跟我們?cè)瓉?lái)做的通信光電子器件差不多。所以我們會(huì)經(jīng)常交流,我會(huì)給她提很多意見(jiàn),在研究上互通有無(wú)。在家里也經(jīng)常聊,有共同語(yǔ)言,能說(shuō)一塊去。


        吳德馨:就是互相支持吧。我忙了,他就負(fù)責(zé)家里的事,他忙了,就是我負(fù)責(zé)家里的事,互相理解。我當(dāng)年做存儲(chǔ)器的時(shí)候,有時(shí)候就睡在實(shí)驗(yàn)室地板上,不回家,孩子都是他管。


        那一年他在日本做訪問(wèn)學(xué)者,我在109廠做引進(jìn)的進(jìn)口設(shè)備驗(yàn)收工作,自己帶著兩個(gè)孩子。每天早上來(lái),晚上九點(diǎn)多才能回家,兩個(gè)孩子只能在外面小攤上買點(diǎn)吃的。我回不了家,也沒(méi)有電話沒(méi)法通知孩子,也沒(méi)汽車,要倒3次公交車才能到家,孩子就在大門口臺(tái)階上等。所以做完了4K,驗(yàn)收完了真是全家歡呼。


        兩位院士的研究工作


        據(jù)吳德馨院士講述,最開(kāi)始她在王守覺(jué)先生領(lǐng)導(dǎo)下負(fù)責(zé)做硅平面型高速開(kāi)關(guān)晶體管,做出來(lái)之后開(kāi)關(guān)速度、閾值電壓等指標(biāo)跟國(guó)際同類產(chǎn)品水平差不多,后來(lái)推廣到了109廠(我國(guó)第一個(gè)半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠),又推廣到全國(guó)。后來(lái)這個(gè)器件用到了“兩彈一星”用的計(jì)算機(jī)——109乙機(jī)上。


        ■1975年,半導(dǎo)體所開(kāi)始做大規(guī)模集成電路,他們做出4K位的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器,后來(lái)相繼做出來(lái)16K位、64K位的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。


        ■1980年代末期,自主開(kāi)發(fā)成功了3微米的CMOSLSI全套工藝技術(shù),用于專用電路的制造。從3微米,到2微米、1微米,再到0.8微米……這么一直做下來(lái)。


        ■1990年代,獨(dú)立自主開(kāi)發(fā)出了全套的0.8微米CMOS工藝,并應(yīng)用于實(shí)用電路的開(kāi)發(fā)。


        此外,他們還研究開(kāi)發(fā)以砷化鎵為基底的化合物半導(dǎo)體器件、電路。


        經(jīng)過(guò)不斷努力,他們還做出了0.1微米砷化鎵/鋁鎵砷異質(zhì)結(jié)高遷移率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,截止頻率達(dá)89GHZ;研究成功了砷化鎵/銦鎵磷異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT),截止頻率達(dá)92GHZ;還在國(guó)內(nèi)首先研制成功了全功能砷化鎵/銦鎵磷HBT 10Gpbs光纖通信光發(fā)射驅(qū)動(dòng)電路等等。與此同時(shí),他們利用MEMS結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了激光器和光纖的無(wú)源耦合,成功做出了工作速度達(dá)2.5Gpbs的光發(fā)射模塊;垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)。


        王圩院士說(shuō):“我最初做硅材料,研究硅單晶,后來(lái)根據(jù)國(guó)家需要開(kāi)始做Ⅲ-Ⅴ族化合物,做外延研究,就是研究在一個(gè)襯底上做幾個(gè)微米的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜,后來(lái)又在這個(gè)基礎(chǔ)上做擴(kuò)散p/n結(jié)化合物激光器。我一開(kāi)始是在材料室,只做材料,但做的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)激光器的結(jié)構(gòu)和材料的生長(zhǎng)是分不開(kāi)的,在材料生長(zhǎng)的過(guò)程中就把一部分器件結(jié)構(gòu)長(zhǎng)出來(lái)了,所以既要懂材料,又要懂器件設(shè)計(jì),兩者密不可分,還是放在一起比較好,于是我就調(diào)到器件室了,又做材料又做器件。”


        ■1979年底,及時(shí)地開(kāi)展了InP基長(zhǎng)波長(zhǎng)激光器的研究工作,成立了由彭懷德負(fù)責(zé)的1.3微米激光器研究組和由我負(fù)責(zé)的1.55微米激光器研究組。


        ■1981年,率先在國(guó)內(nèi)得到了室內(nèi)連續(xù)工作的1.55微米激光器。


        ■開(kāi)發(fā)出一種在高頻調(diào)制下仍然可以單模工作的動(dòng)態(tài)單模(DSM)激光器作為光信號(hào)源。


        ■1988年底,研制出了國(guó)內(nèi)首批1.55微米動(dòng)態(tài)單頻分布反饋(DFB)激光器,解決了國(guó)內(nèi)發(fā)展第三代長(zhǎng)途干線大容量光纖通信的急需。


        資料來(lái)源:

        ■為了中國(guó)的半導(dǎo)體事業(yè)——訪中國(guó)科學(xué)院院士吳德馨、王圩

        ■百度百科

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        作者:茜茜

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