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        蘇州納米所關(guān)于Ni(111)表面上六方氮化硼/石墨烯平面內(nèi)異質(zhì)結(jié)生長(zhǎng)過程的動(dòng)態(tài)觀測(cè)


        來源:蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

        [導(dǎo)讀]  蘇州納米所關(guān)于Ni(111)表面上六方氮化硼/石墨烯平面內(nèi)異質(zhì)結(jié)生長(zhǎng)過程的動(dòng)態(tài)觀測(cè)

        中國粉體網(wǎng)訊  面內(nèi)二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)能夠整合不同二維材料的優(yōu)點(diǎn),拓展其在光學(xué)、電學(xué)器件領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用,然而外延異質(zhì)結(jié)構(gòu)的可控制備和規(guī);a(chǎn),尤其是微觀構(gòu)建機(jī)理仍有待進(jìn)一步研究。包信和教授和崔義研究員以Ni(111)表面上的化學(xué)氣相沉積方法直接外延生長(zhǎng)六方氮化硼/石墨烯面內(nèi)異質(zhì)結(jié)構(gòu)為主線,借助表面原位動(dòng)態(tài)成像技術(shù),系統(tǒng)的研究了六方氮化硼作為成核模板在構(gòu)建外延異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的作用。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)六方氮化硼的生長(zhǎng)順序先于石墨烯時(shí),石墨烯傾向于沿著外延六方氮化硼邊界生長(zhǎng)并形成外延石墨烯,進(jìn)而拼接成單一取向的外延異質(zhì)結(jié)構(gòu)。當(dāng)石墨烯先成核時(shí),由于Ni(111)基底中的近表層碳物種削弱了石墨烯/Ni(111)界面相互作用,導(dǎo)致非外延石墨烯產(chǎn)生。以此為模板繼續(xù)生長(zhǎng)六方氮化硼所構(gòu)建的異質(zhì)結(jié)構(gòu)也是非外延的,將難以獲得高質(zhì)量的二維異質(zhì)結(jié)材料。此外,該研究還揭示了六方氮化硼在Ni(111)表面上的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)遵循表面擴(kuò)散控制機(jī)理(Diffusion-limited Aggregation, DLA)而不是邊界反應(yīng)控制機(jī)理(Reaction-limited Aggregation)。這一研究加深了對(duì)面內(nèi)二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延特性調(diào)控以及二維材料在金屬表面生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)的理解。此項(xiàng)研究結(jié)果以封面文章的形式發(fā)表在Nano Research期刊上(Dynamic observation of in-plane h-BN/graphene heterostructures growth on Ni(111). Nano Research (2020):1-6.) 


        Nano-X簡(jiǎn)介 


        此項(xiàng)工作主要是在中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所的納米真空互聯(lián)實(shí)驗(yàn)站(Nano-X)中完成的,Nano-X是目前世界上最大的集材料制備、分析測(cè)試、器件工藝于一體的真空互聯(lián)設(shè)施,目標(biāo)是建設(shè)成為國際領(lǐng)先的大科學(xué)用戶裝置。該平臺(tái)具有完善的表界面分析工具,且通過超高真空管道互聯(lián)互通,可實(shí)現(xiàn)樣品免受外界污染的條件下傳遞到各個(gè)分析表征設(shè)備:極端條件(ULT-STM, 4P-STM) ;氣氛可控(NAP-STM, NAP-XPS, SNOM);表界面譜學(xué)(XPS/UPS, TOF-SIMS);表界面成像(XPS-mapping,SEM, PEEM,LEEM, STM, AFM, SNOM,SIMS-mapping);光譜分析(Raman, PL)。平臺(tái)可滿足以下檢測(cè)分析要求:(1)多尺度(從宏觀到介觀微觀)下的材料表面形貌、成分的表征;(2)多維度(從二維到三維)下的元素分布及化學(xué)態(tài)的分析;(3)近常壓環(huán)境下的氣/固界面動(dòng)力學(xué)探測(cè);(4)極限條件下的器件性能的測(cè)試。


        (中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)


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