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碳化硅晶片供應(yīng)商天科合達(dá)闖關(guān)科創(chuàng)板
7月14日,上交所正式受理了北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(簡稱“天科合達(dá)”)科創(chuàng)板上市申請。招股書顯示,天科合達(dá)是國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料——碳化硅晶片生產(chǎn)商。公司主要從事碳化硅領(lǐng)域相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,主要產(chǎn)品包括碳化硅晶片、其他碳化硅產(chǎn)品和碳化硅單晶生長爐,其中碳化硅晶片是公司核心產(chǎn)品。
天科合達(dá)表示,隨著碳化硅器件及其下游市場呈現(xiàn)爆發(fā)性增長,國內(nèi)的碳化硅襯底材料供應(yīng)已無法滿足下游市場的需求,公司在現(xiàn)有產(chǎn)能的基礎(chǔ)上,擬對主營業(yè)務(wù)碳化硅襯底材料進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。本次闖關(guān)科創(chuàng)板,天科合達(dá)擬募集資金5億元投建碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目。
湖南長沙:160億建設(shè)碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈
7月20日,總投資達(dá)160億元的湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目正式開工,未來有望在長沙形成新的半導(dǎo)體材料千億產(chǎn)業(yè)鏈。長沙市委書記胡衡華參加儀式并宣布項(xiàng)目開工。湖南三安半導(dǎo)體主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地,形成長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝的碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈,項(xiàng)目總占地面積達(dá)1000畝。
項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后,將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模,預(yù)計(jì)將帶動(dòng)上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值逾千億元。湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目是長沙17個(gè)制造業(yè)標(biāo)志性重點(diǎn)項(xiàng)目之一,也是長沙高新區(qū)今年鋪排的81個(gè)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目之一。今年2月以來,長沙高新區(qū)積極響應(yīng)“大干一百天實(shí)現(xiàn)雙過半”競賽活動(dòng)要求高效推進(jìn)項(xiàng)目建設(shè),已有12個(gè)項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)提前開竣工。
SEMI預(yù)計(jì)2021年半導(dǎo)體設(shè)備市場達(dá)700億美元 創(chuàng)歷史新高
SEMI(國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))近日預(yù)計(jì),全球半導(dǎo)體設(shè)備市場2020年可同比增長6%,達(dá)到632億美元;預(yù)計(jì)2021年半導(dǎo)體設(shè)備市場達(dá)700億美元,創(chuàng)歷史新高。在中國大陸積極推動(dòng)半導(dǎo)體投資等利好因素加成下,晶圓設(shè)備今年可同比增長5%,明年再度增長13%。此外,DRAM和NAND-Flash市場今年可望超過去年,明年增長20%以上。SEMI預(yù)計(jì),中國大陸今年和明年將躍居全球最大半導(dǎo)體設(shè)備制造市場,中國臺(tái)灣盡管去年投資增長了68%,但今年可能下降,從而屈居第二位。
2020年山東省新材料產(chǎn)業(yè)民營企業(yè)10強(qiáng)榜單出爐,山東天岳入榜
7月20日,山東省工商業(yè)聯(lián)合會(huì)發(fā)布《關(guān)于對2020年山東省“十強(qiáng)產(chǎn)業(yè)”民營企業(yè)10強(qiáng)榜單公示的公告》。公告涉及新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)、高端裝備產(chǎn)業(yè)、新材料產(chǎn)業(yè)、海洋產(chǎn)業(yè)、醫(yī)養(yǎng)健康產(chǎn)業(yè)、高端化工產(chǎn)業(yè)、現(xiàn)代高效農(nóng)業(yè)產(chǎn)業(yè)、文化產(chǎn)業(yè)、精品旅游產(chǎn)業(yè)、現(xiàn)代金融服務(wù)業(yè)私募股權(quán)投資基金10個(gè)榜單。
在新材料產(chǎn)業(yè)榜單中,山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司入榜。山東天岳公司成立于2010年11月,是以碳化硅半導(dǎo)體襯底材料為主的高新技術(shù)企業(yè)。公司投資建成了第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化基地,具備研發(fā)、生產(chǎn)國際先進(jìn)水平的半導(dǎo)體襯底材料的軟硬件條件,是我國第三代半導(dǎo)體襯底材料行業(yè)的先進(jìn)企業(yè)。公司擁有“碳化硅半導(dǎo)體材料研發(fā)技術(shù)國家地方聯(lián)合工程研究中心”、國家級博士后科研工作站等國家平臺(tái)和2個(gè)省級研發(fā)平臺(tái),擁有專利290余項(xiàng),其中發(fā)明專利80 余項(xiàng),獲得山東省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)。公司先后承擔(dān)國家新材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)、國家863計(jì)劃項(xiàng)目、國家重大科技成果轉(zhuǎn)化專項(xiàng)等十余項(xiàng)國家和省部級科研和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。
擬建設(shè)半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線5條,濟(jì)南蘭星GPP芯片生產(chǎn)項(xiàng)目落戶重慶梁平
7月22日,濟(jì)南蘭星電子有限公司GPP芯片生產(chǎn)項(xiàng)目簽約儀式舉行,標(biāo)志著該項(xiàng)目正式落戶重慶梁平。據(jù)悉,該項(xiàng)目擬占地50畝,建設(shè)半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線5條。項(xiàng)目建成后,可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值5億元。
濟(jì)南蘭星電子有限公司成立于2011年,位于山東省濟(jì)南市章丘區(qū),主要經(jīng)營電子元器件、半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)、銷售,貨物進(jìn)出口、技術(shù)進(jìn)出口等。此外,該公司為梁平區(qū)平偉實(shí)業(yè)的上游配套企業(yè),主要配套半導(dǎo)體芯片等相關(guān)產(chǎn)品。
年生產(chǎn)78萬片半導(dǎo)體芯片,英諾賽科氮化鎵項(xiàng)目預(yù)計(jì)明年Q2量產(chǎn)
近日,據(jù)江蘇衛(wèi)視報(bào)道,英諾賽科氮化鎵項(xiàng)目作為長三角一體化先行啟動(dòng)區(qū)的重點(diǎn)項(xiàng)目,該項(xiàng)目正在快馬的加鞭推進(jìn)當(dāng)中,目前廠房施工已經(jīng)完成,明年二季度正式量產(chǎn),年可生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片78萬片。報(bào)道指出,目前,英諾賽科已經(jīng)和下游的幾家封裝企業(yè)建立合作關(guān)系,并與上海、江蘇、浙江上游端的IC設(shè)計(jì)公司等密切合作。接下來,將借助長三角的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),與區(qū)域內(nèi)更多企業(yè)開放合作,形成跨區(qū)域的產(chǎn)業(yè)鏈集群。
資料顯示,英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司是一家專業(yè)從事新型第三代半導(dǎo)體材料、器件以及集成電路開發(fā)與制造的高科技公司。據(jù)悉,英諾賽科氮化鎵項(xiàng)目主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)開發(fā)、材料制造、器件制備、后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導(dǎo)體器件制造平臺(tái)。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)。
富通鑫茂擬定增募資不超6.8億元 用于半導(dǎo)體制程用石英制品智能制造項(xiàng)目等
近日,富通鑫茂(000836.SZ)披露2020年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案,擬非公開發(fā)行股票的數(shù)量不超過2.4億股(含本數(shù)),不超過此次發(fā)行前公司總股本的30%;具體發(fā)行數(shù)量將按照募集資金總額除以發(fā)行價(jià)格確定,發(fā)行數(shù)量不為整數(shù)的應(yīng)向下調(diào)整為整數(shù)。發(fā)行對象為包括控股股東富通科技在內(nèi)的不超過35名符合中國證監(jiān)會(huì)規(guī)定的特定對象,其中富通科技擬認(rèn)購數(shù)量不低于此次發(fā)行股票數(shù)量的15%。募集資金總額不超過6.8億元(含本數(shù)),扣除發(fā)行費(fèi)用后,2.5億元用于半導(dǎo)體制程用石英制品智能制造項(xiàng)目,2.75億元用于超純合成石英材料建設(shè)項(xiàng)目,1.55億元用于償還銀行借款。
資料來源:中國證券報(bào)、格隆匯、C114通訊網(wǎng)、中國日報(bào)網(wǎng)、魯網(wǎng)、愛集微、集邦半導(dǎo)體觀察
(中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末)
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