中國粉體網(wǎng)訊  據(jù)鉅亨網(wǎng)報道，晶圓代工大廠近期積極布局半導(dǎo)體新材料氮化鎵（GaN）晶圓代工。此前，臺積電總裁魏哲家在股東會上相當看好氮化鎵的應(yīng)用前景，并透露公司目前正在少量生產(chǎn)氮化鎵，不過預(yù)計未來會廣泛、大量生產(chǎn)。

據(jù)悉，臺積電目前已小量提供 6英寸 GaN-on-Si(硅基氮化鎵) 晶圓代工服務(wù)，650 伏特和 100 伏特氮化鎵積體電路技術(shù)平臺，預(yù)計今年開發(fā)完成。此外，于今年2月份宣布將與意法半導(dǎo)體合作加速市場采用氮化鎵產(chǎn)品。

此前臺積電指出，相較于硅技術(shù)，功率氮化鎵及氮化鎵集成電路產(chǎn)品，在相同制程上具備更優(yōu)異的效益，能夠協(xié)助意法半導(dǎo)體提供中功率與高功率應(yīng)用所需的解決方案，包括應(yīng)用于油電混合車的轉(zhuǎn)換器與充電器。功率氮化鎵及氮化鎵集成電路技術(shù)將協(xié)助消費型與商用型汽車朝向電氣化的大趨勢加速前進。

除了臺積電外，世界先進在氮化鎵材料上已投資研發(fā) 4 年多，與設(shè)備材料廠 Kyma及轉(zhuǎn)投資氮化鎵硅基板廠 Qromis 攜手合作，著眼開發(fā)可做到 8英寸的新基底高功率氮化鎵技術(shù) GaN-on-QST，今年底前將送樣客戶做產(chǎn)品驗證，初期主要瞄準電源相關(guān)應(yīng)用。

聯(lián)電也同樣積極投入氮化鎵制程開發(fā)，攜手 6 英寸砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯(lián)穎，積極布局高效能電源功率元件市場。氮化鎵制程開發(fā)是聯(lián)電現(xiàn)有研發(fā)計劃中重點項目之一，目前仍處于研發(fā)階段，初期將以 6 英寸為目標，未來也會考慮邁向 8 英寸代工。

其實除了中國臺灣地區(qū)的廠商瞄準氮化鎵外，大陸廠商也早早進行了布局。耐威科技2018年在即墨投資設(shè)立了聚能晶源公司，專注GaN外延材料的研發(fā)生長；在嶗山投資設(shè)立了聚能創(chuàng)芯公司，專注GaN器件的開發(fā)設(shè)計。

蘇州能訊采用整合設(shè)計與制造（IDM）的模式，自主開發(fā)了氮化鎵材料生長、芯片設(shè)計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應(yīng)用電路技術(shù)，致力于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵電子器件技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化，為5G移動通訊、寬頻帶通信等射頻微波領(lǐng)域和工業(yè)控制、電源、電動汽車等電力電子領(lǐng)域等兩大領(lǐng)域提供高效率的半導(dǎo)體產(chǎn)品與服務(wù)，是中國氮化鎵產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/江岸）

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