中國(guó)粉體網(wǎng)訊  新冠肺炎疫情帶動(dòng)GaN及SiC新應(yīng)用快速進(jìn)入市場(chǎng)，其中，GaN功率元件除了在5G基地臺(tái)及車(chē)用電子應(yīng)用滲透率快速提升，并開(kāi)始大量應(yīng)用在5G手機(jī)快充裝置，業(yè)界盛傳蘋(píng)果可能在明年就會(huì)導(dǎo)入相關(guān)應(yīng)用，需求進(jìn)入高速成長(zhǎng)階段。SiC除了5G基地臺(tái)應(yīng)用明顯增加，疫情帶動(dòng)伺服器大量出貨，資料中心規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，可提供更低功耗及更高效率的SiC元件開(kāi)始被電源或備用電源系統(tǒng)大量采用。

嘉晶認(rèn)為新冠肺炎疫情導(dǎo)致全球總經(jīng)局勢(shì)增添變數(shù)，但看好化合物半導(dǎo)體新產(chǎn)品在手機(jī)及車(chē)用市場(chǎng)應(yīng)用，GaN及SiC磊晶出貨看旺，同時(shí)也完成超接面（Super Junction）金氧半場(chǎng)效電晶體（MOSFET）多層次或埋藏層制程磊晶出貨。嘉晶建構(gòu)工業(yè)4.0智慧制造的數(shù)位藍(lán)圖已成形，預(yù)計(jì)今年可完成第一階段蛻變升級(jí)計(jì)畫(huà)，全面提高生產(chǎn)效能。

漢磊科在寬能隙（WBG）功率元件晶圓代工市場(chǎng)擴(kuò)大布局，新一代GaN高速電子遷移率場(chǎng)效電晶體（GaN-HEMT）產(chǎn)品開(kāi)發(fā)完成，4吋晶圓SiC蕭特基二極體（SiC-Shottky）及SiC金氧半場(chǎng)效電晶體（SiC-MOSFET）進(jìn)入量產(chǎn)，6吋SiC晶圓代工生產(chǎn)線建置完成并進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證。

嘉晶第一季營(yíng)收回收至10.03億元，毛利率季增3.3個(gè)百分點(diǎn)至6.7％，稅后凈利0.23億元，與上季相較由虧轉(zhuǎn)盈，每股凈利0.08元。嘉晶公告4月合并營(yíng)收月增4.8％達(dá)3.54億元，較去年同期成長(zhǎng)5.5％并為17個(gè)月來(lái)新高，前四個(gè)月合并營(yíng)收13.57億元，年增率由負(fù)轉(zhuǎn)正并較去年同期成長(zhǎng)0.5％。

包括嘉晶及漢磊科營(yíng)收的漢磊投控公告第一季合并營(yíng)收13.90億元，歸屬母公司稅后虧損1.32億元，每股凈損0.45元。不過(guò)隨著嘉晶出貨轉(zhuǎn)旺，漢磊科晶圓代工利用率明顯回升，特別是疫情帶動(dòng)的在家工作或醫(yī)療相關(guān)功率半導(dǎo)體代工需求轉(zhuǎn)旺，4月合并營(yíng)收月增3.5％達(dá)4.94億元，較去年同期成長(zhǎng)5.7％，前四個(gè)月合并營(yíng)收18.84億元，與去年同期相較成長(zhǎng)2.2％。法人預(yù)期漢磊第二季營(yíng)收逐月成長(zhǎng)，轉(zhuǎn)虧為盈機(jī)率大增。

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/漫道）

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