中國粉體網(wǎng)訊 1956年，在我國十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠景規(guī)劃中，半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)被列為當時國家新技術(shù)四大緊急措施之一。為了創(chuàng)建中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的研究發(fā)展基地，國家于1960年9月6日在北京成立中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所（以下簡稱半導(dǎo)體所），開啟了中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展之路。
研究所概況
半導(dǎo)體所秉承“以人為本、創(chuàng)新跨越、唯真求實、和諧發(fā)展”的辦所理念，奮斗不息，勇攀高峰，取得了快速發(fā)展，研究所已逐漸發(fā)展成為集半導(dǎo)體物理、材料、器件研究及其系統(tǒng)集成應(yīng)用于一體的國家級半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的綜合性研究機構(gòu)。
半導(dǎo)體所的中長期發(fā)展戰(zhàn)略目標是：開展與國家發(fā)展密切相關(guān)的、世界科技前沿的基礎(chǔ)性、前瞻性、戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新活動，為發(fā)展我國的高新技術(shù)提供源源不斷的動力；以國家重大需求為導(dǎo)向，開展前沿基礎(chǔ)和應(yīng)用技術(shù)研究，為國家科技發(fā)展提供支撐，并為相關(guān)行業(yè)的技術(shù)進步作出貢獻；吸引、聚集和培養(yǎng)國際一流人才；建立具有國際先進水平的、開放的實驗研究和測試平臺，實現(xiàn)科技創(chuàng)新能力的跨越和持續(xù)發(fā)展，成為引領(lǐng)我國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)發(fā)展的火車頭。
研究所歷史
1956年，成立中國科學(xué)院物理研究所半導(dǎo)體研究室；
1957年秋天，半導(dǎo)體研究室拉制成功了中國第一根鍺單晶；
1958年初秋，在林蘭英帶領(lǐng)下，中國的第一根硅單晶誕生；
1960年9月6日，在中國科學(xué)院物理研究所半導(dǎo)體研究室基礎(chǔ)上成立中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，隸屬于中國科學(xué)院；
1975年，恢復(fù)中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所名稱，隸屬于中國科學(xué)院；
2006-2009年，連續(xù)四次獲得“中央國家機關(guān)文明單位”榮譽稱號；
2009年起，半導(dǎo)體所新增材料工程、電子與通信工程、集成電路工程3個專業(yè)學(xué)位碩士研究生（工程碩士）培養(yǎng)點；
2012年3月，半導(dǎo)體所申報的物理學(xué)、材料科學(xué)與工程、電子科學(xué)與技術(shù)三個一級學(xué)科博士培養(yǎng)點獲得中國科學(xué)院通過；
2015年12月，英國《自然》出版集團以增刊方式發(fā)布了《2015中國自然指數(shù)》(NatureIndex2015China)，半導(dǎo)體所位列第40名；
2016年3月5日，“半導(dǎo)體科技發(fā)展”技術(shù)科學(xué)論壇在中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所學(xué)術(shù)會議會議中心召開；
2016年5月，獲“2015年度中科院決算編制工作先進單位”稱號。
研究部門
半導(dǎo)體所擁有兩個國家級研究中心-國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；三個國家重點實驗室-半導(dǎo)體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學(xué)國家重點聯(lián)合實驗室、表面物理國家重點實驗室（半導(dǎo)體所區(qū)）；三個院級實驗室（中心）-半導(dǎo)體材料科學(xué)重點實驗室、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心和中科院固態(tài)光電信息技術(shù)重點實驗室。此外，還設(shè)有半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心、光電子研究發(fā)展中心、高速電路與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實驗室、納米光電子實驗室、光電系統(tǒng)實驗室、全固態(tài)光源實驗室和元器件檢測中心。
研究團隊
中國科學(xué)院院士：王啟明、鄭厚植、王占國、王圩、夏建白、李樹深、常凱。
中國工程院院士：梁駿吾、陳良惠。
半導(dǎo)體所現(xiàn)有職工680余名。其中科技人員約500名。包括中國科學(xué)院院士7名，中國工程院院士2名，海外高端人才28人，國家“萬人計劃”入選者3人，國家杰出青年科學(xué)基金獲得者16人，“百千萬人才工程”入選者11人，其中黃昆院士榮獲2001年國家最高科學(xué)技術(shù)獎。設(shè)有3個博士后流動站，3個一級學(xué)科博士培養(yǎng)點，3個工程碩士培養(yǎng)點。
科研成果
2001年，黃昆獲國家最高科學(xué)技術(shù)獎。
2008-2013年，共申請專利千余項，授權(quán)677項，每年SCI論文300篇以上。2006-2009年，研究所分別以技術(shù)入股、專利許可、技術(shù)授權(quán)等方式轉(zhuǎn)讓專利和專有技術(shù)58項，技術(shù)開發(fā)合同123項，技術(shù)開發(fā)合同及轉(zhuǎn)讓收入2.62億元。截至2013年，研究所半導(dǎo)體材料制備與器件研制領(lǐng)域共獲得127項專利，全固態(tài)激光器系統(tǒng)領(lǐng)域共獲得13項專利，半導(dǎo)體光收發(fā)器件、光電子集成及光電傳感器件、無源器件研制領(lǐng)域共獲得306項專利，智能計算系統(tǒng)與模式識別領(lǐng)域共獲得14項專利，半導(dǎo)體加工與測試工藝領(lǐng)域共獲得28項專利，激光成像系統(tǒng)領(lǐng)域共獲得12項專利，高亮度發(fā)光二極管（LED）工藝與設(shè)備領(lǐng)域共獲得26項專利，集成電路設(shè)計與測試領(lǐng)域共獲得36項專利，太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域共獲得25項專利。
1985-2015年，研究所獲北京市科技進步獎1項、北京市科學(xué)技術(shù)獎6項、北京市科學(xué)技術(shù)進步獎1項、北京市星火科技獎1項、高等學(xué)�？茖W(xué)研究優(yōu)秀成果獎（科學(xué)技術(shù)）科技進步獎1項、國家技術(shù)發(fā)明獎3項、國家科技進步獎2項、國家科學(xué)技術(shù)進步獎19項、國家自然科學(xué)獎4項、河北省技術(shù)發(fā)明獎1項、化學(xué)工業(yè)部科技進步獎1項、機電部科技進步獎2項、省部技術(shù)發(fā)明獎1項、省部科學(xué)技術(shù)進步獎1項、省部自然科學(xué)獎1項、天津市科技合作獎1項、天津市科技進步獎2項、鐵道部科技進步獎2項、中國電子學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎2項、中華農(nóng)業(yè)科技獎1項、中科院科技進步獎75項、中科院自然科學(xué)獎23個。2010-2015年，以技術(shù)入股、專利許可、技術(shù)授權(quán)等方式轉(zhuǎn)讓專利和專有技術(shù)44項，技術(shù)合同253項，橫向收入4.8億元。
資料來源：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所官網(wǎng)
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