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        碳化硅晶體襯底片國產(chǎn)化?中科鋼研稱9月就能竣工投產(chǎn)


        來源:中國粉體網(wǎng)   漫道

        [導讀]  碳化硅晶體襯底片國產(chǎn)化之路

        中國粉體網(wǎng)訊  今日從萊西市獲悉,落戶于萊西經(jīng)濟開發(fā)區(qū)的中科鋼研碳化硅項目正在加緊項目建設(shè),今年將實現(xiàn)投產(chǎn)。


        中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園施工一角

         

        作為第三代半導體材料,碳化硅憑借其在高溫、高壓、高頻等條件下的優(yōu)異性能表現(xiàn),成為當今最受關(guān)注的新型半導體材料之一。

         

        中科鋼研碳化硅項目9月竣工

         

        采用碳化硅材料制成的電力電子器件可工作于極端環(huán)境和惡劣環(huán)境下,特別適用于航空航天、高速鐵路、新能源汽車、太陽能逆變器及工業(yè)驅(qū)動等需要大功率電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用領(lǐng)域。

         

        據(jù)青島日報最新報道,中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項目負責人張翠榮表示,將按照萊西市“掛圖作戰(zhàn)”的路線圖,以作戰(zhàn)姿態(tài)全力推進,確保今年9月份竣工投產(chǎn)。

         

        總投資6.5億元、占地83畝的青島中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項目已于3月10日復(fù)工,辦公樓、科研樓、宿舍及餐廳進入內(nèi)部裝修階段。

         

        中科鋼研自有技術(shù)與工藝

         

        中科鋼研節(jié)能科技有限公司擁有先進的升華法碳化硅長晶爐4英寸高溫化學氣相沉積法碳化硅生長技術(shù),其技術(shù)和工藝填補了國內(nèi)空白,并具備了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用條件。




        項目全部達產(chǎn)后,可實現(xiàn)年產(chǎn)5萬片4英寸碳化硅晶體襯底片,5000片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。據(jù)介紹,中科鋼研未來將把國家級先進晶體研究院設(shè)在萊西,專注碳化硅的研發(fā)生產(chǎn),力爭三年之內(nèi)接近歐美最高水平。

         

        同時,由中科鋼研主導的石墨烯碳納米電熱膜實驗室進展順利,年內(nèi)也可在萊西實現(xiàn)達產(chǎn)。實驗室主要進行多種低電壓石墨烯碳納米電熱材料的制備工藝技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)研究,除了在航空航天、太陽能利用、納米、復(fù)合型材料等領(lǐng)域廣泛運用外,也可打造直接將電能轉(zhuǎn)換為熱能的供暖系統(tǒng),在南方和農(nóng)村沒有實現(xiàn)集中供暖的地區(qū),有很大的推廣前景。

         

        目前,24伏、36伏低電壓石墨烯碳納米管電熱膜材料已經(jīng)研發(fā)成功,實現(xiàn)產(chǎn)品國際首創(chuàng)、質(zhì)量國際一流。

         

        政府支持,引領(lǐng)碳化硅材料行業(yè)出現(xiàn)爆發(fā)式發(fā)展

         

        據(jù)萊西經(jīng)濟開發(fā)區(qū)消息,2019年8月16日,青島市委副書記、市長孟凡利一行到萊西經(jīng)濟開發(fā)區(qū)調(diào)研中科鋼研碳化硅集成電路產(chǎn)業(yè)園項目推進情況。

         

        孟凡利市長對中科鋼研碳化硅集成電路產(chǎn)業(yè)園項目給予肯定,表示該項目在新材料領(lǐng)域具有領(lǐng)先性和前瞻性,具有廣泛的市場前景,政府要精準對接服務(wù)企業(yè),主動幫助企業(yè)解決難題、落實政策,推動項目加快建成投產(chǎn)運營。

         


        孟凡利市長聽取中科鋼研副總經(jīng)理趙然匯報

         

        中科鋼研副總經(jīng)理趙然表示,該項目建成后,能使我國擺脫碳化硅晶體襯底片依賴進口的尷尬局面,產(chǎn)品國產(chǎn)化后,成本將大幅降低,能在軍工、通信、高鐵、新能源汽車等方面廣泛應(yīng)用,將引領(lǐng)碳化硅材料行業(yè)出現(xiàn)爆發(fā)式發(fā)展。

         

        參考來源

        青島日報、集微網(wǎng)、半導體投資聯(lián)盟、萊西經(jīng)濟開發(fā)區(qū)

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