比亞迪新能源車采用碳化硅模塊實現(xiàn)“零百”加速3.9秒
日前,比亞迪公布旗下中大型轎車漢EV首次應(yīng)用自研“高性能碳化硅MOSFET電機控制模塊”,助力其0-100km/h加速僅需3.9秒。新車采用前后雙電機全時四輪驅(qū)動形式,并首次采用“刀片電池”。根據(jù)此前信息顯示,該車或于今年6月份左右上市。
據(jù)悉,比亞迪為漢EV裝備了最大轉(zhuǎn)速超過15000轉(zhuǎn)/分的高轉(zhuǎn)速驅(qū)動電機總成,其電機控制器首次使用了比亞迪自主研發(fā)并制造的高性能碳化硅MOSFET控制模塊,碳化硅模塊能夠降低內(nèi)阻,增加電控系統(tǒng)的過流能力,讓電機將功率與扭矩發(fā)揮到極致,大幅提升了電機的性能表現(xiàn)。
天玥碳化硅項目一期,有望5月竣工9月試生產(chǎn)
天玥碳化硅項目總投資30億元,分兩期建設(shè),一期主要生產(chǎn)碳化硅導(dǎo)電襯底,二期主要生產(chǎn)功能器件,預(yù)計年產(chǎn)值達(dá)50-60億元。目前,在瀏陽高新區(qū)天玥碳化硅項目建設(shè)現(xiàn)場數(shù)百名工人正在緊張忙碌著。
該項目建設(shè)進(jìn)展順利,一期技術(shù)區(qū)已完成封頂,廠房區(qū)正進(jìn)行鋼結(jié)構(gòu)安裝;輔助區(qū)正進(jìn)行主體施工,消防水池施工。預(yù)計3月底可完成項目主體工程,5月初竣工,9月可進(jìn)入試生產(chǎn)。
SK集團完成杜邦晶圓收購,以增強其在先進(jìn)材料領(lǐng)域地位
SiC 芯片具有高強度、高耐熱性和抗輻射性,是制造功率電子半導(dǎo)體的關(guān)鍵零組件。SK Siltron在去年 9 月簽署了一項協(xié)議,以 4.5 億美元的價格收購杜邦的碳化硅部門,以增強在先進(jìn)材料領(lǐng)域的地位。
據(jù)悉,這是 SK(株式會社)在 2017 年 1 月從 LG(株式會社)手中收購前 LG Siltron 之后,第一次展開的大規(guī)模并購(M&A)。SK Siltron 對此表示:“SiC 晶片每年預(yù)計會有兩位數(shù)以上的高增長。將杜邦擁有的研發(fā)、生產(chǎn)能力和本公司主要事業(yè)之間的協(xié)同效應(yīng)最大化,進(jìn)而來確保(SK)新的增長動能”。
值得一提的是,長期以來,韓國在半導(dǎo)體進(jìn)口方面就尤為依賴日本,而目前能夠批量生產(chǎn) SiC 晶圓的只有美國杜邦,日本的昭和電工、Denso、住友等,SK Siltron 則是韓國唯一一家生產(chǎn)晶圓的企業(yè)。
中國電科50億碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn)
近日,中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式。按照疫情防控相關(guān)要求,此次活動以視頻方式舉行。
山西省委書記、省人大常委會主任樓陽生,省委副書記、省長林武,省領(lǐng)導(dǎo)羅清宇、廉毅敏、王一新、李曉波,中國電科黨組書記、董事長熊群力,黨組成員、副總經(jīng)理楊軍,電科裝備黨委書記、董事長左雷,黨委副書記、總經(jīng)理王斌等出席投產(chǎn)儀式。按照疫情防控相關(guān)要求,此次活動以視頻方式舉行。
熊群力指出,中國電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園既是貫徹山西省委省政府“四為四高兩同步”總體部署要求的重大舉措,也是中國電科圍繞半導(dǎo)體材料、裝備制造產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域在晉的戰(zhàn)略布局,產(chǎn)業(yè)園的投產(chǎn)不僅是山西省新型半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群化發(fā)展的標(biāo)志性事件,對國內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展也具有重要意義。
據(jù)人民網(wǎng)報道,該項目計劃用5年時間,建成“一中心三基地”,即:中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、中國電科(山西)電子裝備智能制造產(chǎn)業(yè)基地、中國電科(山西)三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心、中國電科(山西)光伏新能源產(chǎn)業(yè)基地。項目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計形成產(chǎn)值100億元。
CISSOID推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊
各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布,將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn),并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。這項新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案,即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。
“開發(fā)和優(yōu)化快速開關(guān)碳化硅功率模塊并可靠地驅(qū)動它們?nèi)允且粋挑戰(zhàn),”CISSOID首席執(zhí)行官Dave Hutton表示!斑@款新型碳化硅智能功率模塊是在功率模塊和柵極驅(qū)動器方面進(jìn)行多年開發(fā)的成果,這源于我們和汽車與交通運輸領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者們的密切合作。我們很樂意向早期的碳化硅器件采用者提供首批智能功率模塊樣品,從而去支持汽車行業(yè)向高效的電動汽車解決方案過渡!
參考來源
中國電科、與非網(wǎng)、全球半導(dǎo)體觀察、比亞迪官網(wǎng)、EEWORLD