中國(guó)粉體網(wǎng)訊  “歷經(jīng)幾十年發(fā)展，中國(guó)已成為全球集成電路產(chǎn)業(yè)增速最快、市場(chǎng)需求最大、國(guó)際貿(mào)易最活躍的地區(qū)。產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程正在開始，還需不斷努力。”在近日舉行的“浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室——黃河水電集成電路硅材料聯(lián)合研發(fā)中心”（以下簡(jiǎn)稱聯(lián)合研發(fā)中心）揭牌儀式上，中國(guó)科學(xué)院院士楊德仁表示，當(dāng)前和今后一段時(shí)期是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要戰(zhàn)略機(jī)遇期和攻堅(jiān)期。

縱觀現(xiàn)狀，我國(guó)高端集成電路制造骨干企業(yè)發(fā)展迅速，但所需的集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)材料——電子級(jí)多晶硅和電子級(jí)特種氣體仍然依賴進(jìn)口,亟待進(jìn)行相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)補(bǔ)短板。針對(duì)目前半導(dǎo)體硅材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀，楊德仁在接受科技日?qǐng)?bào)記者專訪時(shí)表示，我國(guó)半導(dǎo)體硅材料一類是用于太陽能光伏的硅材料，一類是微電子所用的硅材料。在太陽能光伏硅材料方面，我國(guó)產(chǎn)業(yè)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)規(guī)模在國(guó)際上均處于第一梯隊(duì)的領(lǐng)先地位。而微電子硅材料研發(fā)生產(chǎn)尚處于第二梯隊(duì)狀態(tài)，與國(guó)際最好水平還有一定差距�！澳壳拔覈�(guó)已完成或滿足了6英寸、5英寸及以下小尺寸集成電路硅片的產(chǎn)業(yè)化需求；8英寸硅片關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)突破，目前10%—15%的集成電路用8英寸硅片實(shí)現(xiàn)了原產(chǎn)化，12英寸硅片生產(chǎn)技術(shù)剛剛?cè)〉猛黄��！睏畹氯收f。

中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)原秘書長(zhǎng)袁桐也認(rèn)為，我國(guó)電子材料行業(yè)發(fā)展行業(yè)規(guī)模已達(dá)年產(chǎn)值4000億元。但目前我國(guó)電子信息新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展中存在缺少統(tǒng)籌規(guī)劃和支持、缺少技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)、下游需求旺盛但多數(shù)關(guān)鍵產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口、創(chuàng)新能力不足、高端產(chǎn)品自給率不高、產(chǎn)學(xué)研用結(jié)合不緊密、產(chǎn)業(yè)化能力不強(qiáng)等問題，攻克技術(shù)難題勢(shì)在必行。

在此形勢(shì)下，為提升我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力，聯(lián)合研發(fā)中心應(yīng)運(yùn)而生，將圍繞集成電路硅材料和高純特種氣體等國(guó)家重大需求的關(guān)鍵技術(shù)開展研究，助力更好更快地推進(jìn)科技創(chuàng)新并盡早轉(zhuǎn)化科研成果。

黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司黨委書記、董事長(zhǎng)謝小平接受科技日?qǐng)?bào)記者采訪時(shí)表示，聯(lián)合研發(fā)中心的成立，將圍繞集成電路硅材料和高純特種氣體等國(guó)家重大需求的關(guān)鍵技術(shù)開展研究，旨在通過校企合作發(fā)揮優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，構(gòu)建以企業(yè)為主體、產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的技術(shù)研發(fā)體系，以集成電路用半導(dǎo)體材料、高純半導(dǎo)體材料檢測(cè)技術(shù)等開發(fā)為研究方向，實(shí)現(xiàn)學(xué)術(shù)研究與市場(chǎng)應(yīng)用的相互促進(jìn)。

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