中國粉體網(wǎng)訊  英國蘭開斯特大學研究人員最近宣布，他們和西班牙同行合作開發(fā)出一種新型數(shù)據(jù)存儲設備，兼具當前內(nèi)存和閃存兩類設備的優(yōu)點，并且能耗超低。

這所大學發(fā)布新聞公報說，新設備屬于通用型存儲器，既可充當供隨時讀寫的活動內(nèi)存，也能穩(wěn)定長期保存數(shù)據(jù)。它有助節(jié)約能源，緩解“數(shù)字技術(shù)能源危機”，還可改善電子設備使用體驗，比如電腦可以幾秒鐘內(nèi)完成啟動。

當前用作內(nèi)存的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）讀寫速度快，但有易失性，即突然斷電后內(nèi)容就會消失，即使不斷電也必須每隔幾十毫秒就刷新一次，總能耗非常高。閃存里的數(shù)據(jù)可以長期保存，代價是寫入和擦除需要較高電壓，能耗高、速度慢，且容易損壞。兼具非易失性、低能耗和高速度的新型存儲器，是當前的研究熱點。

研究人員在新一期英國《科學報告》雜志上發(fā)表論文說，新設備采用與閃存類似的浮柵構(gòu)造，但不像閃存那樣使用金屬氧化物半導體，而是由砷化銦、銻化鋁和銻化鎵三種材料組成。其底部是630納米厚的銻化鎵，上面是多個交錯的銻化鋁和砷化銦薄層，厚度從幾納米到幾十納米不等，呈現(xiàn)“千層餅”一樣的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

實驗發(fā)現(xiàn)，由于這三種半導體材料的量子力學特性，新設備能在低電壓下運作，同時實現(xiàn)非易失性存儲。由于電壓和電容需求都很低，該設備的單位面積能耗分別是DRAM和閃存的百分之一和千分之一。此外，它需要進行刷新的時間間隔至少比DRAM長100萬倍，數(shù)據(jù)保存期限理論上比宇宙的年齡還長。

隨著信息技術(shù)發(fā)展，電腦和其他電子設備需要處理的數(shù)據(jù)越來越多，存儲容量飛速增長，存儲器能耗問題卻對運行效率和使用體驗構(gòu)成嚴重制約。研究人員說，作為一種新型存儲設備，該技術(shù)有很大潛力。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/江岸）

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