中國粉體網(wǎng)訊  碳化硅晶體作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，在電子電力器件、高亮度發(fā)光二級管等節(jié)能環(huán)保領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。然而碳化硅晶體制備存在成本高、能效低等問題，限制了碳化硅晶體在民用領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用。

相關(guān)研究工作

多頭物理氣相輸運技術(shù)碳化硅晶體制備過程

圖片來源：中科院硅酸鹽所

中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所碳化硅晶體項目部借鑒上海硅酸鹽所發(fā)明的多坩堝下降晶體制備技術(shù)，在對氣相輸運與沉積基本科學(xué)技術(shù)原理深入認(rèn)識的基礎(chǔ)上，發(fā)明了多頭物理氣相輸運技術(shù)，成功實現(xiàn)單爐次制備多個碳化硅晶體，所得晶體的一致性、重復(fù)性和穩(wěn)定性有明顯提升。采用多頭物理氣相輸運技術(shù)使晶體制備效率提高至傳統(tǒng)制備技術(shù)的300%以上，制備成本則降低至原來的40%以下，有望實現(xiàn)低成本、高效率碳化硅晶體制備，有效推動其在民用領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末）
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