中國粉體網(wǎng)訊  中科鋼研碳化硅作為國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，經(jīng)過我國多年研發(fā)并結(jié)合國外引進(jìn)高科技技術(shù)，應(yīng)用于眾多高科技領(lǐng)域。近日的全市重點(diǎn)大項(xiàng)目巡禮走近落戶于萊西市的中科鋼研碳化硅項(xiàng)目，萊西將成為我國碳化硅的主要生產(chǎn)基地。

萊西碳化硅生產(chǎn)基地聚能雷達(dá)、高鐵

碳化硅作為高精尖技術(shù)，憑借其在高溫、高壓、高頻等條件下的優(yōu)異性能表現(xiàn)，成為當(dāng)今最受關(guān)注的新型半導(dǎo)體材料之一。采用碳化硅材料制成的電力電子元件可工作于極端環(huán)境和惡劣環(huán)境下，特別適用于軍用武器系統(tǒng)、航空航天、石油地質(zhì)勘探、高速鐵路、新能源汽車、太陽能逆變器及工業(yè)驅(qū)動(dòng)等需要大功率電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用領(lǐng)域。

目前，中科鋼研碳化硅項(xiàng)目生產(chǎn)基地，4－6英寸碳化硅片可達(dá)到年產(chǎn)40000片，年產(chǎn)值達(dá)8－10億元，重點(diǎn)推進(jìn)方向?yàn)檐娪妙I(lǐng)域。據(jù)中科鋼研節(jié)能科技有限公司董事長(zhǎng)張巖介紹，碳化硅片的最大優(yōu)勢(shì)是，其寬禁帶和抗大電流擊穿能力是普通硅的10－30倍。在眾多高端領(lǐng)域里，碳化硅的使用壽命較普通硅更長(zhǎng)。

“比如說在雷達(dá)探測(cè)距離方面，先進(jìn)國家在使用碳化硅技術(shù)后，其雷達(dá)探測(cè)距離可以達(dá)到2500公里，而我國僅能達(dá)到1200公里。所以國產(chǎn)碳化硅技術(shù)的軍事應(yīng)用，也可以讓我國的雷達(dá)探測(cè)距離趕上先進(jìn)國家水平�！睆垘r說。此外碳化硅的另一項(xiàng)優(yōu)勢(shì)則是節(jié)能，用碳化硅可以使體積變得很小，節(jié)能效應(yīng)可以達(dá)到20－25％，因此在高端領(lǐng)域中將會(huì)取代硅和第二代半導(dǎo)體的作用。

國產(chǎn)碳化硅高性價(jià)比將應(yīng)用于更多領(lǐng)域

近年來，碳化硅在國內(nèi)得到了較大的應(yīng)用，專家普遍認(rèn)為2020年下半年到2022年將是第三代半導(dǎo)體的爆發(fā)之年，用碳化硅取代硅產(chǎn)品及第二代半導(dǎo)體已經(jīng)成為共識(shí)。

而在碳化硅的應(yīng)用方面，降低成本提高國產(chǎn)碳化硅的合格率，將成為行業(yè)普及的根本。目前，國內(nèi)的碳化硅技術(shù)合格率可以達(dá)到45－48％左右，預(yù)計(jì)在未來兩年可以把合格率提高至65％以上，以接近歐美最高水平。

張巖表示，碳化硅要想在多領(lǐng)域應(yīng)用，其價(jià)格將會(huì)成為主導(dǎo)因素。目前，同一級(jí)別的芯片美國產(chǎn)品的賣價(jià)為每片625美元，而國產(chǎn)的同級(jí)別芯片則為每片500美元左右。在此基礎(chǔ)上，中科鋼研碳化硅生產(chǎn)基地在原材料方面做了大量的研發(fā)工作，在降低生產(chǎn)成本提高合格率的前提下，可以使國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)品的成本下降35％左右，從而使賣價(jià)降到400美元以下。由此，未來將會(huì)在新能源汽車、高鐵、電力、通訊等諸多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)碳化硅的大量應(yīng)用。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/平安）