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        混合兩種納米材料制造光子電路新架構(gòu)


        來源:環(huán)球科學

        [導(dǎo)讀]  光子芯片有望成為取代電子芯片的候選者。最近美國國立標準及技術(shù)研究院(NIST)的研究者結(jié)合氮化硅和砷化鎵兩種材料的優(yōu)勢,克服了光子電路中信息高損耗的三大問題:讓光子產(chǎn)生得更快,丟失得更少,傳送得更多。設(shè)計出的芯片光子電路將讓一大批基于光子干涉的計算設(shè)備更高效運轉(zhuǎn),而且使得光子電路向更大規(guī)模發(fā)展成為可能。

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        圖片來源:NIST/Nature Communications. 在這幅假彩色掃描電鏡圖中,單個光子從二氧化硅表面(藍)上的波導(dǎo)(粉)中穿過。


        光子電路(quantum photonic circuits)是利用光的量子性質(zhì)來進行信息處理和通訊的芯片裝置,最近美國國立標準及技術(shù)研究院(NIST)的科學家為它開發(fā)出了一種新架構(gòu)。


        在發(fā)表在《自然-通訊》(Nature Communication)上的研究中,NIST的研究者及他們在中國和英國的合作者描述了他們開發(fā)的設(shè)備。它由低損耗的波導(dǎo)網(wǎng)絡(luò)和單光子源組成(波導(dǎo)是一種讓聲光等波傳播到特定方向的結(jié)構(gòu)——注),集成在一張芯片上。這個架構(gòu)將在光子計算和仿真領(lǐng)域,還有光子計量學和光子通信學中產(chǎn)生重大影響。


        這個設(shè)備運轉(zhuǎn)時會產(chǎn)生單光子流,發(fā)射到波導(dǎo)和分束器網(wǎng)絡(luò)中,光子在網(wǎng)絡(luò)中相互干涉,最后在網(wǎng)絡(luò)的輸出端被探測。


        要直觀感受這個研究的影響有多大,你必須知道現(xiàn)如今量子信息研究者們已經(jīng)設(shè)計出了許多種可以進行量子仿真、計量和通訊的儀器,它們都建立于單個光子在大型波導(dǎo)及分束器網(wǎng)絡(luò)中干涉的基礎(chǔ)上。


        這些系統(tǒng)中,光子被射出后會隨機地移動并相互干涉。最后,它們會從網(wǎng)絡(luò)的一個輸出端口出去,從每個端口出去的概率由量子力學決定。這些概率就是實驗的最終輸出。因為上述過程的內(nèi)在隨機性,實驗必須做很多次才能把這些概率可靠地確定。


        不幸的是,可能出現(xiàn)的三種壞情況:第一種,光子在波導(dǎo)中丟失;第二種,光子在發(fā)射到波導(dǎo)的過程中丟失;最后一種,光子源產(chǎn)生光子的效率太低,使得實驗需要進行很久,特別是對大型網(wǎng)絡(luò),花費的時間會長得不切實際。


        NIST開發(fā)的架構(gòu)為這三個問題提供了解決方案,讓實驗更高效地進行,允許系統(tǒng)向更大規(guī)模發(fā)展。研究者用基于氮化硅的低損耗波導(dǎo)解決了光子在波導(dǎo)中丟失的問題;研究者直接把光子源放在芯片上,并建立了使光子直接高效發(fā)射到氮化硅波導(dǎo)的結(jié)構(gòu),來解決光子在發(fā)射到波導(dǎo)過程中丟失的問題。


        為了解決第三個問題:光子的低產(chǎn)生率,NIST的研究組制作了基于量子點(體積微小具有量子效應(yīng)的半導(dǎo)體,不同大小形狀和材料的量子點可以釋放不同頻率的光子——注)的單光子源,所用的量子點已經(jīng)被證明可以高效地產(chǎn)生全同的(indistinguishable,指所有量子力學內(nèi)秉屬性相同——注)單光子,不過此過程需在低溫下才能完成。


        “這都是在成熟的集成光子制造技術(shù)基礎(chǔ)上做到的。這些技術(shù)早先在非量子設(shè)備中采用,還具可擴展性,這意味著我們可以制造有更多元件的更大電路!闭撐牡谝蛔髡,NIST研究科學家Marcelo Davanço說。


        Davanço表明,現(xiàn)在這個設(shè)備架構(gòu)和原先的區(qū)別在于光子源集成在了芯片上,而以往的大多數(shù)架構(gòu)中光子都在芯片外產(chǎn)生,然后再發(fā)射到芯片上的波導(dǎo)網(wǎng)絡(luò)中,通常發(fā)射的光子丟失率都不低。


        Davanço還宣稱他們的架構(gòu)和那些光子源在芯片上的架構(gòu)相比,也有優(yōu)勢!爸饕蚴俏覀冇昧藘煞N高性能材料,還設(shè)法將它們結(jié)合到了一張芯片上,同時保留了它們各自的性質(zhì),使其充分發(fā)揮潛能!


        據(jù)Davanço說,量子點的高性能很大程度上來源于深深將它們包裹其中的半導(dǎo)體材料:砷化鎵(GaAs)。砷化鎵有一個好處是它的高折光率,這使得用它制成的幾何結(jié)構(gòu)可以將內(nèi)部量子點產(chǎn)生的光子高效捕獲。


        盡管砷化鎵在激發(fā)量子點方面很好用,它并不是制造低損波導(dǎo)的好材料。如果一個包裹在砷化鎵里的量子點產(chǎn)生的光子被發(fā)射到砷化鎵制成的波導(dǎo)里,它不是很快散射到波導(dǎo)外,就是很快在傳播時被材料吸收。


        Davanço解釋道:“我們的解決方案是制作一個砷化鎵結(jié)構(gòu),使它既能高效捕獲內(nèi)部量子點產(chǎn)生的光子,又能讓另一個砷化鎵結(jié)構(gòu)將光子高效發(fā)射到以低損聞名的氮化硅波導(dǎo)中!


        目前他們論文中的設(shè)備用到了很多個量子點。接下來的研究中,他們的目標是制作只有一個量子點的設(shè)備。Davanço補充道:“這會讓我們對我們架構(gòu)可以達到的全同性(indistinguishability)程度有更好的理解!


        (翻譯:顧金濤 審校:馬曉彤)


        原文鏈接【科學美國人博客】:


        https://spectrum.ieee.org/nanoclast/semiconductors/optoelectronics/a-mix-of-nanomaterials-leads-to-a-new-quantum-photonic-circuit-architecture 


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