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        上海微系統(tǒng)所石墨烯/六方氮化硼平面異質(zhì)結(jié)研究獲進(jìn)展


        來(lái)源:中國(guó)科學(xué)院

        [導(dǎo)讀]  中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所石墨烯/六方氮化硼平面異質(zhì)結(jié)研究取得新進(jìn)展,研究員謝曉明領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)采用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法成功制備出單原子層高質(zhì)量石墨烯/六方氮化硼平面異質(zhì)結(jié),并將其成功應(yīng)用于WSe2/MoS2 二維光電探測(cè)器件。

        中國(guó)粉體網(wǎng)訊  中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所石墨烯/六方氮化硼平面異質(zhì)結(jié)研究取得新進(jìn)展,研究員謝曉明領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)采用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法成功制備出單原子層高質(zhì)量石墨烯/六方氮化硼平面異質(zhì)結(jié),并將其成功應(yīng)用于WSe2/MoS2 二維光電探測(cè)器件。研究論文Synthesis of High-Quality Graphene and Hexagonal Boron Nitride Monolayer In-Plane Heterostructure on Cu–Ni Alloy 于5月19日在Advanced Science上發(fā)表。


        石墨烯(graphene)和六方氮化硼(h-BN)結(jié)構(gòu)相似但電學(xué)性質(zhì)迥異。由于石墨烯/六方氮化硼平面異質(zhì)結(jié)在基礎(chǔ)研究和器件探索方面具有重要潛力,因而備受學(xué)術(shù)界關(guān)注。graphene/h-BN平面異質(zhì)結(jié)的制備一般采用依次沉積石墨烯和h-BN,或者相反次序來(lái)實(shí)現(xiàn),由于后續(xù)薄膜形核控制困難以及生長(zhǎng)過(guò)程中反應(yīng)氣體很容易對(duì)前序薄膜產(chǎn)生破壞,因而目前文獻(xiàn)報(bào)告graphene/h-BN平面異質(zhì)結(jié)的質(zhì)量不盡如人意。上海微系統(tǒng)所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的盧光遠(yuǎn)、吳天如等人基于銅鎳合金襯底生長(zhǎng)高質(zhì)量h-BN和石墨烯薄膜的研究基礎(chǔ),通過(guò)先沉積h-BN單晶后生長(zhǎng)石墨烯,成功制備了高質(zhì)量石墨烯/h-BN平面異質(zhì)結(jié)。


        由于銅鎳合金上石墨烯生長(zhǎng)速度極快,較短的石墨烯沉積時(shí)間減小了對(duì)石墨烯薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中對(duì)h-BN薄膜的破壞。同時(shí)由于銅鎳合金優(yōu)異的催化能力,在提高氮化硼單晶結(jié)晶質(zhì)量的同時(shí)消除了石墨烯的隨機(jī)成核,使得石墨烯晶疇只在三角狀h-BN單晶疇的頂角處形核并沿著h-BN邊取向生長(zhǎng)。課題組與美國(guó)萊斯大學(xué)教授Jun Lou等團(tuán)隊(duì)合作,利用合作培養(yǎng)博士研究生計(jì)劃,在高質(zhì)量石墨烯/h-BN平面異質(zhì)結(jié)的基礎(chǔ)上,以石墨烯作為接觸電極,h-BN作為絕緣襯底,制備了WSe2/ MoS2 二維光電探測(cè)器,驗(yàn)證了石墨烯/h-BN平面異質(zhì)結(jié)的質(zhì)量和電學(xué)性能,為基于該異質(zhì)結(jié)材料平臺(tái)開(kāi)展基礎(chǔ)研究和二維邏輯集成電路應(yīng)用探索提供了基礎(chǔ)。


        該項(xiàng)工作得到了科技部重大專(zhuān)項(xiàng)“晶圓級(jí)石墨烯電子材料與器件研究”以及中科院和上海市科委相關(guān)研究計(jì)劃的資助。


        圖1 高質(zhì)量graphene/h-BN平面異質(zhì)結(jié)的CVD制備 



        圖2 Graphene/h-BN平面異質(zhì)結(jié)上的WSe2/MoS2光電器件應(yīng)用 


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