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        美研究出超越現(xiàn)代硅芯片的碳納米管晶體管


        來源:癮科技

        [導(dǎo)讀]  日前,美國 Wisconsin-Madison 大學(xué)研究人員研究出了第一塊表現(xiàn)超越現(xiàn)代硅芯片的碳納米管晶體管,可以通過硅芯片 1.9 倍的電流,展示了碳納米管取代硅芯片的潛力。

        中國粉體網(wǎng)訊  碳納米管技術(shù)多年來一直被視為電腦芯片業(yè)界的救星,在硅芯片面臨著技術(shù)和物理瓶頸時,可以接棒繼續(xù)提高性能。然而雖然想像是美好的,但現(xiàn)實(shí)是碳納米管的高速度低能耗效果僅存在于紙面上,因?yàn)楦鞣N技術(shù)困難,而無法和發(fā)展多年的硅芯片相提并論。如今美國 Wisconsin-Madison 大學(xué)終于做出了突破,研究出了第一塊表現(xiàn)超越現(xiàn)代硅芯片的碳納米管晶體管,可以通過硅芯片 1.9 倍的電流。


        這過程相當(dāng)繁復(fù),要先挑出完美符合規(guī)范的碳納米管,再將它們在基板上照特定的順序排列成形,最后再放入真空中烘烤,把碳納米管和電極間的絕緣物質(zhì)消除掉。正是因?yàn)樗^麻煩,所以雖然以研究的角度來講是個大突破,但真的要實(shí)作出完整的芯片還有不少障礙要跨越,更別說它的生產(chǎn)和硅芯片完全不同,整個量產(chǎn)流程都要重新設(shè)計。碳納米管已經(jīng)確定了有取代硅芯片的潛力,但要到實(shí)用恐怕還要不少年吧!


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