日本物質(zhì)材料研究機(jī)構(gòu)和早稻田大學(xué)聯(lián)合研究小組2004年8月上旬發(fā)現(xiàn)，添加硼的金剛石薄膜在極低溫狀態(tài)下可進(jìn)入超導(dǎo)狀態(tài)，這一新的超導(dǎo)材料有望用于開發(fā)新型超導(dǎo)薄膜和超導(dǎo)元件。

    薄膜采用化學(xué)氣相生成法制成，先用微波照射氣體原料使之變?yōu)殡婋x氣體，電離氣體在硅基片上層疊時(shí)，再添加２％的硼。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明，樣品在絕對(duì)溫度８．７Ｋ進(jìn)入超導(dǎo)狀態(tài)。

    在此之前俄羅斯的研究小組曾發(fā)現(xiàn)，通過高溫高壓合成的金剛石微粒子在絕對(duì)溫度２．３Ｋ時(shí)，成為超導(dǎo)材料。但由于是微粒子，很難應(yīng)用于開發(fā)新元件，而添加硼后生成的金剛石薄膜超導(dǎo)材料更適于工業(yè)應(yīng)用。

    金剛石由碳原子構(gòu)成，一般不導(dǎo)電，純凈的金剛石其實(shí)是良好的絕緣體。但是，如果在金剛石中摻入少量的硼或者氮，它就會(huì)變成半導(dǎo)體。由于金剛石半導(dǎo)體體積小、耐高溫，因此它在電子或光電子元器件制造方面具有得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)。