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        美科學家成功研制多層二維硅基納米材料


        來源:中國航空報

        [導讀]  美國化學家研發(fā)一種新方法成功使用硅碲化物制備出擁有多層結構的二維半導體納米材料,可在多個領域大顯身手。
        中國粉體網訊    美國化學家研發(fā)出了一種新方法,使用硅碲化物制備出擁有多層結構的二維半導體納米材料,這些材料擁有不同的形狀和排列方向,可在多個領域大顯身手。布朗大學的科學家使用硅碲化物制造出了納米帶和納米板。硅碲化物是一種純凈的P型半導體(攜帶正電荷),廣泛出現在很多電子和光學設備中,它們的層級結構能吸收鋰和鎂,這意味著可用來制造電池的電極。

          該研究的領導者、布朗大學化學系助理教授克里斯蒂·克斯基表示,硅基化合物是現代電學處理過程的基石,硅碲化物是其中一員,我們發(fā)明的全新方法可用來制造擁有多層結構的二維納米材料?怂够鶊F隊通過氣相沉積方法在一個管式爐中合成出了這些新材料。當硅和碲化物在管子中被加熱時,會蒸發(fā)并反應,制造出一種前體化合物,這種前體化合物接著被氬氣沉積在基座上,隨后,硅碲化物就從該前體化合物中生長出來。通過改變熔爐的溫度并對基座進行不同的處理,研究人員最終制造出了納米帶和納米板,納米帶的寬度約為50到1000納米,長度為10微米。而且,不同材料擁有不同的結構,其晶格也有不同的排列方式,因此擁有不同的屬性和用途。

          研究人員也證明,可以使用不同的基座,將不同材料摻雜(在摻雜過程中,細小的雜質被引入材料內,從而改變材料的電學屬性)進入這些納米材料內。在最新研究中,研究人員通過實驗證實,當硅碲化物在藍寶石基座上生長時,可向其中摻雜鋁,這一過程可以將材料從P型半導體變成N型半導體(攜帶負電荷)。研究人員還指出,新方法得到的材料不僅穩(wěn)定,而且容易被改進。他們計劃對得到的納米材料的電學和光學屬性進行測試。
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