中國(guó)粉體網(wǎng)訊  具備高電子遷移率的石墨烯（graphene）一直被視為延長(zhǎng)摩爾定律（Moore‘s Law）的關(guān)鍵，而因?yàn)?a href="http://zhanqunliushi.cn/zc/161.html" target="_blank" style="color:#0000ff">石墨烯的均勻性（uniformity）優(yōu)于金屬，也使其成為納米自旋電子元件（spintronic device）的最佳候選材料。英國(guó)查爾摩斯理工大學(xué)（Chalmers University of Technology）的納米制造實(shí)驗(yàn)室（Nanofabrication Laboratory）表示，自旋電子元件能以個(gè)別電子自旋來(lái)編碼資訊，而不是透過(guò)成千上萬(wàn)的電荷，因此元件的尺寸可望進(jìn)一步微縮、功耗也能比矽晶片來(lái)得更低。

　　目前市面有少數(shù)元件是采用自旋編碼（spin encoding），包括一些先進(jìn)的硬盤機(jī)以及磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）；但這些元件僅能將自旋編碼后的電子移動(dòng)數(shù)納米，所采用的銅與鋁等金屬的均勻度不足，無(wú)法讓電子移動(dòng)更長(zhǎng)的距離，限制了自旋電子元件的性能。為此查爾摩斯理工大學(xué)的目標(biāo)是讓自旋編碼后的電子移動(dòng)距離拉長(zhǎng)到微米（micrometer）等級(jí)，好讓各種數(shù)位電路都能利用自旋電子。

石墨烯自旋電子逆變器（inverter）改變了單一電子的自旋方向
　　查爾摩斯理工大學(xué)教授Saroj Dash的團(tuán)隊(duì)最近利用化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)，將石墨烯沉積到銅基板上，再于室溫下轉(zhuǎn)移至絕緣上覆矽（SoI）晶圓片，成功實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)距離的自旋電子通訊；結(jié)果顯示自旋電子傳輸距離可擴(kuò)展至16微米。

    Dash的團(tuán)隊(duì)成員、博士候選人Venkata Kamalakar Mutta表示：“石墨烯能以三種方式取得：一是從石墨塊狀晶體以機(jī)械剝離，這也是最被廣泛使用的方式；二是磊晶方式，透過(guò)移除表層的矽原子，在碳化矽（SiC）晶圓片上長(zhǎng)出石墨烯，是大面積應(yīng)用的適合方案；此外則是在銅箔上以化學(xué)氣相沉積石墨烯，再利用化學(xué)溶解銅，將之轉(zhuǎn)移至任何一種基板上。”他指出，在這些方法中，化學(xué)氣相沉積法是最可行的。

    Mutta指出，他們?cè)趯?shí)驗(yàn)室的設(shè)置，是在石墨烯兩端放置兩個(gè)鐵磁體（ferromagnetic）電極，完整的電路也有其他參考電極，但可能不是采用鐵磁體；其中有兩個(gè)電路，一是電流、一是電壓，相互隔離以忠實(shí)量測(cè)自旋訊號(hào)。目前Dash的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)制作了幾個(gè)簡(jiǎn)單的電路原型，下一步則是制作存儲(chǔ)器、處理器甚至更復(fù)雜的電路，并將進(jìn)一步改善能完美制作單晶石墨烯晶圓片的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。