中國粉體網(wǎng)訊  美國麻省理工學(xué)院科研人員最近展示了一款由單一石墨烯晶體管打造的倍頻器。麻省理工學(xué)院科研人員表示，通過采用石墨烯晶體管可以利用相對(duì)簡(jiǎn)單的架構(gòu)來實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的新型電路。

    石墨烯晶體管的電子遷移率和空穴遷移率相等。因此石墨烯晶體管即可以像硅晶體管一樣傳送電子也可以像 GaAs晶體管一樣傳送空穴，從而使得石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管即可以用作N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管也可以用作P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

    “我們所研發(fā)的新器件采用了專利'雙極傳送'石墨烯，”麻省理工學(xué)院教授Tomas Palacios表示。 “若采用傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，通常必須從兩個(gè)不同的載流子中選擇：電子“負(fù)極性粒子”或空穴“陽極性粒子”。

    “因石墨烯材料能夠?qū)崿F(xiàn)雙極傳送，你根本不需要考慮載流子的問題----若采用石墨烯材料，你只需要改變加在石墨層上的電壓就可以得到電子或空穴 ”。 “我們所研發(fā)的倍頻器通過利用石墨烯材料的這一屬性將輸入信號(hào)的頻率提高了兩倍”。

    該倍頻器由一個(gè)石墨晶體管和一個(gè)電阻器組成。 “傳統(tǒng)倍頻器要用到一個(gè)過濾器來過濾雜波以得到所需要的輸出信號(hào)，而該倍頻器要比傳統(tǒng)電路簡(jiǎn)單很多”， Palacios表示。 “并且其工作頻率將比傳統(tǒng)器件高出很多。”

該倍頻器的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)配置有上拉電阻的單一共源石墨烯晶體管。主要區(qū)別在于石墨烯晶體管的偏置電壓。與僅傳送電子的硅晶體管和僅傳送空穴的砷化鎵晶體管不同，石墨烯晶體管的柵極是允許電子通過還是允許空穴通過取決于輸入信號(hào)是正還是負(fù)。

    Palacios指出，“不論載流子是電子還是空穴，電流總是以同一個(gè)方向流經(jīng)上拉電阻，從而實(shí)現(xiàn)倍頻” 。

    為了實(shí)現(xiàn)倍頻，當(dāng)交流輸入信號(hào)由零變成正時(shí)，會(huì)有一個(gè)電子型電流流經(jīng)漏極；當(dāng)輸入信號(hào)為負(fù)時(shí)，則產(chǎn)生空穴型電流。在上述兩種情況下，輸出電壓最初始時(shí)為零，然后隨著AC輸入電壓的變化在峰值和最低點(diǎn)之間變化，從而將信號(hào)頻率提升了一倍。

    理論論證演示尚有待進(jìn)一步優(yōu)化以用于高頻率的應(yīng)用，但研究人員稱，石墨烯晶體管的高電子遷移率是硅晶體管的100倍以上----應(yīng)該可以將倍頻器的級(jí)聯(lián)經(jīng)將輸出信號(hào)放大兩倍，應(yīng)用頻率范圍也許可以達(dá)到太赫茲。

    石墨烯由單晶格碳原子組成，其電子遷移率比硅和砷化鎵都要高，但是石墨烯片更難制作。美國麻省理工學(xué)院研究人員正在不斷研制專利石墨烯片，但到目前為止僅展出了小片。他們的目標(biāo)是研制出完整的石墨烯晶圓。

    “為了將其商業(yè)化，需要有足夠大的石墨烯晶圓來架構(gòu)這些器件，”Palacios表示，“我們最近已在這一領(lǐng)域取得了一定進(jìn)展，通過利用硅襯底采用化學(xué)氣相沉積法（將碳化硅襯底在真空條件下加熱至1000多度，除去硅而余下的碳通過自組形式形成單層石墨膜）可得到大面積石墨薄片。

    據(jù)Palacios估計(jì)，可能需要兩年時(shí)間才能推出針對(duì)以石墨烯為基礎(chǔ)的電路的晶圓制程。