作為國債建設的一項重要成就,在12月2日開幕由國家計委、國家經貿委、財政部、國家統(tǒng)計局和北京市政府主辦的“譜寫現(xiàn)代化建設的新篇章———1998~2002年國債建設成果圖片展”上,北京有色金屬研究總院的硅材料研究成果吸引了眾多參觀者。展覽顯示,以該院為代表的我國硅材料研發(fā)力量已經可與世界同行并駕齊驅。
此次展覽中,由該院研制成功的我國第一根直徑18英寸直拉硅單晶的實物引起眾多參觀者駐足。
半導體硅單晶材料是半導體集成電路和器件的基礎材料,世界上98%的半導體器件由硅片制造。與迅速增長的半導體集成電路和器件用量相對應,世界硅片需求量從1990年的20億平方英寸增加到1999年的40億平方英寸,年均增長8%以上。隨著集成電路集成度的提高、芯片面積的增大和器件工藝的要求,硅片也在朝不斷增加直徑方向發(fā)展,集成電路的生產制造迫切要求采用更大直徑的直拉硅單晶拋光片。據(jù)最新的《國際半導體技術指南(ITRS)》提供的資料顯示,直徑18英寸硅單晶拋
光片是直徑12英寸硅單晶拋光片之后的下一代產品,是未來22納米線寬64G集成電路的襯底材料,目前國際上仍處于基礎研究階段。北京有色金屬研究總院成功拉制直徑18英寸直拉硅單晶,標志著我國大直徑硅單晶研究已經步入世界領先行列。
北京有色金屬研究總院是我國半導體材料研究、開發(fā)和生產的主要基地,分別于1992年、1995年和1997年拉制成功國內第一根直徑6英寸、8英寸和12英寸直拉硅單晶;在國家計委支持下,于2001年建成我國第一條直徑8英寸硅拋光片生產線,為我國微電子領域的持續(xù)技術創(chuàng)新和產業(yè)發(fā)展奠定了堅實基礎。
此次展覽中,由該院研制成功的我國第一根直徑18英寸直拉硅單晶的實物引起眾多參觀者駐足。
半導體硅單晶材料是半導體集成電路和器件的基礎材料,世界上98%的半導體器件由硅片制造。與迅速增長的半導體集成電路和器件用量相對應,世界硅片需求量從1990年的20億平方英寸增加到1999年的40億平方英寸,年均增長8%以上。隨著集成電路集成度的提高、芯片面積的增大和器件工藝的要求,硅片也在朝不斷增加直徑方向發(fā)展,集成電路的生產制造迫切要求采用更大直徑的直拉硅單晶拋光片。據(jù)最新的《國際半導體技術指南(ITRS)》提供的資料顯示,直徑18英寸硅單晶拋
光片是直徑12英寸硅單晶拋光片之后的下一代產品,是未來22納米線寬64G集成電路的襯底材料,目前國際上仍處于基礎研究階段。北京有色金屬研究總院成功拉制直徑18英寸直拉硅單晶,標志著我國大直徑硅單晶研究已經步入世界領先行列。
北京有色金屬研究總院是我國半導體材料研究、開發(fā)和生產的主要基地,分別于1992年、1995年和1997年拉制成功國內第一根直徑6英寸、8英寸和12英寸直拉硅單晶;在國家計委支持下,于2001年建成我國第一條直徑8英寸硅拋光片生產線,為我國微電子領域的持續(xù)技術創(chuàng)新和產業(yè)發(fā)展奠定了堅實基礎。