中國粉體網(wǎng)6月3日訊  在硅芯片設(shè)計規(guī)則往原子等級邁進(jìn)的過程中，石墨烯(graphene)被認(rèn)為可以清除許多障礙，能制作尺寸更小、性能更好的純碳組件。但有一個問題在于，在納米等級，組件規(guī)格必須要達(dá)到原子精度(atomic accuracy)，包括接近完美邊緣(perfect edges)與單分子層(monolayers)。

    美國能源部所屬的橡樹嶺國家實驗室(Oak Ridge National Laboratory)正在打造一套可制作完美石墨烯薄片的工具；該實驗室最近還發(fā)現(xiàn)，電子輻射(electron radiation)能避免單分子層之間的連結(jié)。研究人員利用超級計算機(jī)仿真了采用量子分子動力(quantum molecular dynamic)制作石墨烯的過程，并宣稱已開發(fā)出能制作完美邊緣與單分子層石墨烯的全新方法。

    去年該研究團(tuán)隊發(fā)表了一種稱為“焦耳加熱(Joule heating)”的方法，采用電流將石墨烯邊緣修整至完美，但所付出的代價是會產(chǎn)生讓單分子層鏈接的結(jié)構(gòu)性回路(structural loops)。在超級計算機(jī)仿真中，通過采用量子分子動力做為中間步驟，研究人員開發(fā)出了一種全新的邊緣形成(edge-formation)制程，而且已經(jīng)能控制該步驟、優(yōu)化石墨烯生產(chǎn)制程。

    該研究團(tuán)隊并表示，在該邊緣形成制程中采用電子輻射，就能避免在制作過程中產(chǎn)生讓石墨烯單分子層連結(jié)的回路。