中國粉體網(wǎng)4月18日訊 普渡大學(xué)Birck納米技術(shù)中心的研究人員正在開發(fā)有望替代硅的新型半導(dǎo)體二維材料。硅芯片的制造工藝正逼近其物理極限，為了滿足摩爾定律的增長要求，必須要尋找新的材料去替代硅。普渡研究員Saptarshi Das說，他不認(rèn)為硅能被單一的材料替代，但不同的材料可能能以混合的方式共存。
到目前為止，硅的替代材料包括了石墨烯（二維碳原子層）、二硫化鉬（MoS2）和Germanane(單原子層鍺)。石墨烯的內(nèi)在缺陷是能隙太小不適合用作晶體管，而MoS2和Germanane相對于石墨烯的優(yōu)勢有內(nèi)在的能隙。普渡大學(xué)的新材料則是基于MoS2。
到目前為止，硅的替代材料包括了石墨烯（二維碳原子層）、二硫化鉬（MoS2）和Germanane(單原子層鍺)。石墨烯的內(nèi)在缺陷是能隙太小不適合用作晶體管，而MoS2和Germanane相對于石墨烯的優(yōu)勢有內(nèi)在的能隙。普渡大學(xué)的新材料則是基于MoS2。
