在德國舉行的納米技術(shù)論壇上，研究人員表示，試圖采用該技術(shù)填補未來半導(dǎo)體制造藍(lán)圖中的空隙。
英飛凌科技正在開發(fā)面向通信技術(shù)的納米技術(shù)應(yīng)用。英飛凌的一位研究人員Karl Joachim Ebeling介紹了一種能夠用于控制半導(dǎo)體的帶寬為60 Gbps的SiGe晶體管。但他表示，設(shè)計師還不太清楚這種元件的全部容量。“那很難測量，”Ebeling說。然而，可以肯定的是，SiGe晶體管提供更高開關(guān)電壓，“至少與CMOS一樣出色，”他補充道。
盡管英飛凌在超薄絕緣硅晶圓上采用高達(dá)45納米節(jié)點的平面MOSFET，但該公司表示正在考慮用于亞30納米節(jié)點SOI上的非平面FinFET結(jié)構(gòu)。Ebeling表示英飛凌正在研究高開關(guān)電流比率的FinFET，并有意在其FinFET存儲器中采用該器件，據(jù)他稱這種類型的元件將是全球首創(chuàng)。
芯片設(shè)計師在采用納米技術(shù)時還遭遇到一個老問題：隨著結(jié)構(gòu)越來越小，掩膜成本以指數(shù)級增長�！拔覀冾A(yù)計一套掩膜的費用為530萬美元，” Ebeling說。此外，曝光系統(tǒng)成本也爆炸性飛漲，預(yù)計每套步進(jìn)器的價值大約為8200萬美元。
英飛凌科技正在開發(fā)面向通信技術(shù)的納米技術(shù)應(yīng)用。英飛凌的一位研究人員Karl Joachim Ebeling介紹了一種能夠用于控制半導(dǎo)體的帶寬為60 Gbps的SiGe晶體管。但他表示，設(shè)計師還不太清楚這種元件的全部容量。“那很難測量，”Ebeling說。然而，可以肯定的是，SiGe晶體管提供更高開關(guān)電壓，“至少與CMOS一樣出色，”他補充道。
盡管英飛凌在超薄絕緣硅晶圓上采用高達(dá)45納米節(jié)點的平面MOSFET，但該公司表示正在考慮用于亞30納米節(jié)點SOI上的非平面FinFET結(jié)構(gòu)。Ebeling表示英飛凌正在研究高開關(guān)電流比率的FinFET，并有意在其FinFET存儲器中采用該器件，據(jù)他稱這種類型的元件將是全球首創(chuàng)。
芯片設(shè)計師在采用納米技術(shù)時還遭遇到一個老問題：隨著結(jié)構(gòu)越來越小，掩膜成本以指數(shù)級增長�！拔覀冾A(yù)計一套掩膜的費用為530萬美元，” Ebeling說。此外，曝光系統(tǒng)成本也爆炸性飛漲，預(yù)計每套步進(jìn)器的價值大約為8200萬美元。
