近期,中科院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家實(shí)驗(yàn)室(籌)表面物理實(shí)驗(yàn)室馬旭村研究員與清華大學(xué)物理系薛其坤院士、北京應(yīng)用物理與計(jì)算數(shù)學(xué)研究所張平研究員合作,利用掃描隧道顯微鏡研究了堿金屬Cs原子在熱解6H-SiC(0001)獲得的石墨烯表面上的吸附行為,發(fā)現(xiàn)Cs原子在石墨烯表面的吸附行為與層厚和6×6褶皺相關(guān)。在單層石墨烯(MEG)表面,Cs原子優(yōu)先吸附于石墨烯表面6×6結(jié)構(gòu)的rim位;而在雙層石墨烯(BEG)和多層石墨烯表面,這種優(yōu)先性極大降低。在合適的覆蓋度下(1ML和1/3ML),Cs原子在2-5層石墨烯表面上均可以形成兩種長程有序的超晶格結(jié)構(gòu),其周期分別為1.85 nm(1×1超晶格)和3.20 nm(√3×√3超晶格),如圖1所示。對(duì)MEG和BEG表面上Cs-Cs原子最近鄰距離分布的統(tǒng)計(jì)分析表明,Cs-Cs原子之間存在強(qiáng)的長程排斥相互作用,而且在BEG表面上表現(xiàn)得更強(qiáng)(圖2)。進(jìn)一步分析表明,MEG和BEG表面上每個(gè)Cs原子分別貢獻(xiàn)0.33和0.4個(gè)電子給石墨烯,并由此導(dǎo)致石墨烯表面Cs-Cs原子間存在靜電排斥相互作用(圖3),這與密度泛函理論計(jì)算結(jié)果非常吻合。
根據(jù)這些研究,他們提出了BEG和多層石墨烯(3-5)表面Cs原子超晶格的形成機(jī)制:6H-SiC(0001)襯底上石墨烯表面周期、褶皺的6×6結(jié)構(gòu)是Cs原子吸附的模板,rim和valley位間的能量勢壘(隨層厚增加而減。┮种茻釢q落導(dǎo)致的Cs原子擴(kuò)散和無序;Cs原子與石墨烯襯底間電荷轉(zhuǎn)移誘導(dǎo)Cs-Cs原子間排斥的靜電相互作用(隨層厚增加而增強(qiáng))抑制Cs團(tuán)簇的形成和誘導(dǎo)超晶格結(jié)構(gòu);只有當(dāng)以上兩種相互作用均比較強(qiáng)(2-5層)時(shí),rim和valley位間的能量勢壘才能克服熱漲落導(dǎo)致的無序,Cs超晶格才能穩(wěn)定。
該研究結(jié)果發(fā)表在2012年第15期的Physical Review Letters(108,156803 (2012))上。此項(xiàng)工作得到了國家自然科學(xué)基金和科技部重大研究計(jì)劃的經(jīng)費(fèi)支持。
圖1. STM形貌圖:(a) 1ML Cs原子吸附在MEG表面;(b) 1ML Cs原子吸附在BEG表面;(c) 1/3 ML Cs原子吸附在BEG表面;(d) 1/3 ML Cs原子吸附在6層的石墨烯表面。
圖2. MEG和BEG表面Cs原子最近鄰距離統(tǒng)計(jì)柱狀圖,其中黑線為無相互作用隨機(jī)分布曲線。
圖3. BEG表面Cs-Cs原子間平均相互作用勢,虛線對(duì)應(yīng)0.4e電荷轉(zhuǎn)移誘導(dǎo)靜電勢曲線。插圖是ab initio 計(jì)算結(jié)果。