由浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室承擔(dān)完成的《新型UHV/CVD系統(tǒng)及器件級薄外延層生長與應(yīng)用》和《新穎立式高真空MOCVD系統(tǒng)及GaN外延生長與應(yīng)用》兩項(xiàng)成果11月9日通過浙江省科技廳主持的鑒定。

    中科院半導(dǎo)體所王占國院士擔(dān)任鑒定委員會(huì)主任，來自復(fù)旦大學(xué)、山東大學(xué)等半導(dǎo)體材料和真空技術(shù)領(lǐng)域的著名專家學(xué)者一致認(rèn)為，兩項(xiàng)成果完成了預(yù)期的各項(xiàng)任務(wù)與目標(biāo)，研究成果處于國內(nèi)領(lǐng)先，達(dá)到國際先進(jìn)水平，部分關(guān)鍵技術(shù)國際領(lǐng)先，具有推廣應(yīng)用價(jià)值。

    這兩項(xiàng)在葉志鎮(zhèn)教授主持下完成的重點(diǎn)研究項(xiàng)目歷時(shí)6年，并得到國家重點(diǎn)基礎(chǔ)發(fā)展規(guī)劃“973”項(xiàng)目、國家教育部科技重點(diǎn)項(xiàng)目、浙江省科技計(jì)劃項(xiàng)目及“211”工程的支持。

    超高真空化學(xué)氣相沉積（UHV/CVD）設(shè)備是制備優(yōu)質(zhì)亞微米晶體薄膜、納米結(jié)構(gòu)材料、研制硅基高速高頻器件和納電子器件的關(guān)鍵的先進(jìn)薄膜技術(shù)，它研發(fā)成功具有重要的科學(xué)意義和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值，現(xiàn)已在國內(nèi)得到推廣應(yīng)用，已產(chǎn)生直接和間接經(jīng)濟(jì)效益數(shù)千萬元。該設(shè)備打破了同類設(shè)備依賴進(jìn)口的被動(dòng)局面，促進(jìn)了超高真空CVD設(shè)備國產(chǎn)化，社會(huì)、經(jīng)濟(jì)效益顯著。

    新穎的高真空MOCVD是生長優(yōu)質(zhì)寬禁帶化合物半導(dǎo)體GaN外延層、研制半導(dǎo)體藍(lán)光二極管（LEDs）、藍(lán)光激光器（LDs）關(guān)鍵技術(shù)，設(shè)備成功研發(fā)和實(shí)用的藍(lán)光LED研制，這對于全彩色顯示、汽車電子、大容量通訊、手機(jī)彩屏顯示等藍(lán)光器件應(yīng)用和半導(dǎo)體白光照明的巨大產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有十分重要的作用。