臺灣地區(qū)工研院宣布，繼去年制造出Ｐ型和Ｎ型納米碳管場效晶體管后，電子所和化工所合作，最近又開發(fā)成功單層納米碳管定位成長技術(shù)，可在4至8英寸硅芯片基板上制作，具備與集成電路整合的潛力。
據(jù)悉，現(xiàn)有納米碳管場效晶體管制作技術(shù)大多采用涂布方式，長成的納米碳管為隨機分布，位置無法準(zhǔn)確控制。新技術(shù)具金屬性或半導(dǎo)體性，可以用于制造高效能金屬連接線和納米碳管晶體管陣列。
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