韓國三星電子公司宣布，該公司成功開發(fā)出使用0.09微米制造工藝的動態(tài)隨機內存芯片（ D RAM）生產技術，并將在明年投入批量生產。

　　該項技術再一次突破了困擾業(yè)界的0.1微米的瓶頸，達到了納米級的水平。芯片的柵極尺寸縮小到了50納米以內。據悉，這將是納米級芯片制造技術首次在 D RAM芯片生產中得到應用。

　　三星電子公司計劃于明年第三季度將此技術應用于300毫米芯片的生產線，批量生產512兆、1G的DRAM芯片產品。

　　該公司的負責人指出：“在半導體工程技術方面，0.10微米一直被稱為‘魔鬼極限’。在90納米級的水平上實現 D RAM的批量生產，將使我們在業(yè)內取得1年以上的領先優(yōu)勢。”

　　分析人士指出，與現在廣泛使用的0.13微米技術相比，新技術在理論上可以使生產效率提高3倍至4倍，令產品價格更具競爭性。

　　同時宣布的新產品還包括同樣使用0.09微米技術制造，容量為2 GB的閃存芯片（ N AND）。這種芯片的容量是原來的2倍，將于明年上半年投入生產。

　　此前，英特爾、德州儀器等公司曾宣布，將在明年生產的 C PU，SRAM中采用0.09微米技術。三星電子公司是全球主要的內存芯片供應商之一。雖然今年半導體行業(yè)仍然不夠景氣，但是預計三星電子半導體部門在三季度的純利將高于二季度的10700億韓元。