「石墨烯已經(jīng)展現(xiàn)出最終將取代矽晶微型晶片的多種可能了,但我個人認(rèn)為最早還要再過十年,直到矽晶材料達(dá)到極限以后,我們才會看到石墨烯應(yīng)用出現(xiàn)!姑绹鴨讨蝸喞砉W(xué)院(Georgia Institute of Technology)電子與電腦工程學(xué)教授James D. Meindl表示。他同時(shí)也是該校奈米技術(shù)研究中心的創(chuàng)始總監(jiān),該研究中心致力于石墨烯的研究已有五年之久了。
在2024年時(shí),矽晶 MOSFET 在可制造的通道長度以及可支援的絕緣閘厚薄方面將會達(dá)到瓶頸,Meindl援引國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS)的預(yù)測表示。
在成為取代CMOS的替代材料之前,石墨烯也面臨著許多挑戰(zhàn)!肝覀儽仨氃谑┍∑现圃斐鰯(shù)十億個電晶體,但我們目前所能制造的電晶體數(shù)量極少,」Meindl說。
英國曼徹斯特大學(xué)(University of Manchester )的研究人員們在2004年的一項(xiàng)研究中發(fā)現(xiàn)了這種新材料。這項(xiàng)獲得諾貝爾獎(Nobel Prize)的研究貢獻(xiàn)在于找到了一種可制造單層碳原子的新方法。Meindl回想,「當(dāng)時(shí)沒有人認(rèn)為可以做到這一點(diǎn),但對于讓單層碳原子以六角形蜂巢晶格完美排列后所能實(shí)現(xiàn)的應(yīng)用來說,那其實(shí)只是一個起點(diǎn)!
截至目前為止,研究人員們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了至少兩種可用于制造石墨烯的技術(shù)了。他們還在這種材料中制造出一些「相當(dāng)粗糙」的有效電晶體。
相較于銅互連技術(shù)來說,石墨烯電晶體還具有更好的導(dǎo)電與導(dǎo)熱性,以及更高的載流量。用來制造MEMS時(shí),石墨烯也非常具有吸引力,Meindl說。
「迄今為止,最令人印象深刻的石墨烯電晶體一直是RF電晶體」,例如用于500GHz類比訊號應(yīng)用的放大器,Meindl并接著說,「而石墨烯開關(guān)則由于其漏電流等多種原因限制,使其較難以制造!
Meidl的實(shí)驗(yàn)室正致力于研究如何制造出15nm線寬石墨帶的方法,使其作為能將石墨烯開關(guān)打造的像矽晶開關(guān)一樣快速且具功效的建構(gòu)基礎(chǔ)。但其主要挑戰(zhàn)在于制造出邊緣毫不受損的石墨帶,以避免導(dǎo)致材料正向特質(zhì)的退化。
截至目前為止,喬治亞理工學(xué)院各工程系所的近700名研究人員們已參訪了Meindl的實(shí)驗(yàn)室并探索石墨烯材料。「我們的技術(shù)有趣之處在于它像工程學(xué)一樣廣泛,而且?guī)缀蹙秃臀锢砜茖W(xué)一樣廣泛了,」他說。
CICC大會議程中還包括一系列探討有線、無線和光通訊到時(shí)脈、PLL、ADC和功率元件等各種研究主題的論文發(fā)表。此外還包括討論 3D 晶片堆疊以及生物醫(yī)學(xué)技術(shù)等特殊議題。