最近,IBM公司的研究人員發(fā)現(xiàn)了一種制造碳納米管的新途徑,而碳納米管可以用于生產(chǎn)處理器。這一技術(shù)突破使得有望在今后十年內(nèi)開發(fā)出功能更加強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)。
在十月份Nanoletters雜志上的論文中詳細(xì)介紹了這一新方法,IBM納米科學(xué)負(fù)責(zé)人Phaedon Avouris稱,在該納米管制造工藝中采用硅而不是金屬作為催化劑,這樣可以提高單壁納米管的產(chǎn)量,并將為電路制造帶來新曙光。
Avouris說:“我們證明了存在可以不用金屬而制造單壁納米管的新途徑”。
碳納米管是替代芯片中線路的兩種領(lǐng)先技術(shù)之一,這種結(jié)構(gòu)不僅導(dǎo)電性能極佳,而且體積非常之小,以致制造商可以將數(shù)十億個(gè)晶體管集成在一塊芯片上。然而。迄今為止,碳納米管還僅限于實(shí)驗(yàn)室小量生產(chǎn),低成本、大規(guī)模的市場化生產(chǎn)還需要若干年的時(shí)間。 在傳統(tǒng)的金屬催化模式中,將鎳、鐵或鈷和碳元素加熱直到熔化,單壁納米管就會在液態(tài)金屬表面形成。
不幸的是,金屬微粒會附著在納米管上,而使之磁化以致晶體管報(bào)廢。Avouris說:“每個(gè)納米管上都有金屬微粒,雖然在硝酸中沸騰可以去掉金屬微粒,但是這樣會破壞納米管”。
而利用IBM的新工藝,納米管則不會損壞,研究人員從碳硅層得到晶體,然后將之加熱到1650攝氏度。硅蒸發(fā)后留下了裸露的碳層,由于碳原來和硅結(jié)合在一起,所以很容易和其他物質(zhì)結(jié)合,在這種情況下,它和自己結(jié)合然后彎曲成管狀。
Avouris還說,碳管的原子結(jié)構(gòu)可以排列并使用在處理器中,這種結(jié)構(gòu)可以按平行方式網(wǎng)狀分布來形成晶體管。IBM自己不進(jìn)行納米管的生產(chǎn),而是由諾貝爾獎(jiǎng)得主、Rice大學(xué)教授Richard Smalley創(chuàng)建的碳納米科技公司來負(fù)責(zé)生產(chǎn),然而IBM將會鼓勵(lì)其采用IBM的研究成果。
在十月份Nanoletters雜志上的論文中詳細(xì)介紹了這一新方法,IBM納米科學(xué)負(fù)責(zé)人Phaedon Avouris稱,在該納米管制造工藝中采用硅而不是金屬作為催化劑,這樣可以提高單壁納米管的產(chǎn)量,并將為電路制造帶來新曙光。
Avouris說:“我們證明了存在可以不用金屬而制造單壁納米管的新途徑”。
碳納米管是替代芯片中線路的兩種領(lǐng)先技術(shù)之一,這種結(jié)構(gòu)不僅導(dǎo)電性能極佳,而且體積非常之小,以致制造商可以將數(shù)十億個(gè)晶體管集成在一塊芯片上。然而。迄今為止,碳納米管還僅限于實(shí)驗(yàn)室小量生產(chǎn),低成本、大規(guī)模的市場化生產(chǎn)還需要若干年的時(shí)間。 在傳統(tǒng)的金屬催化模式中,將鎳、鐵或鈷和碳元素加熱直到熔化,單壁納米管就會在液態(tài)金屬表面形成。
不幸的是,金屬微粒會附著在納米管上,而使之磁化以致晶體管報(bào)廢。Avouris說:“每個(gè)納米管上都有金屬微粒,雖然在硝酸中沸騰可以去掉金屬微粒,但是這樣會破壞納米管”。
而利用IBM的新工藝,納米管則不會損壞,研究人員從碳硅層得到晶體,然后將之加熱到1650攝氏度。硅蒸發(fā)后留下了裸露的碳層,由于碳原來和硅結(jié)合在一起,所以很容易和其他物質(zhì)結(jié)合,在這種情況下,它和自己結(jié)合然后彎曲成管狀。
Avouris還說,碳管的原子結(jié)構(gòu)可以排列并使用在處理器中,這種結(jié)構(gòu)可以按平行方式網(wǎng)狀分布來形成晶體管。IBM自己不進(jìn)行納米管的生產(chǎn),而是由諾貝爾獎(jiǎng)得主、Rice大學(xué)教授Richard Smalley創(chuàng)建的碳納米科技公司來負(fù)責(zé)生產(chǎn),然而IBM將會鼓勵(lì)其采用IBM的研究成果。