2000年和2006年在西安電子科技大學分別獲得電子科學與技術專業(yè)學士學位和博士學位,博士導師為郝躍院士。碩士/博士生導師,現(xiàn)為國家級科技創(chuàng)新人才,郝躍院士寬禁帶半導體團隊金剛石方向帶頭人。
近年來主持國家重點研發(fā)計劃項目,國家自然科學基金重點項目等多項國家級項目。發(fā)表SCI論文70余篇,授權國家發(fā)明專利40余項,獲得省部級一等獎兩項。系統(tǒng)構建了我國金剛石超寬禁帶半導體核心技術,研制出高性能微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)設備和大尺寸高質(zhì)量金剛石材料,金剛石制備技術專利ZL201710805891.1等得到轉(zhuǎn)化應用。提出了氫終端金剛石表面電導輸運理論,發(fā)現(xiàn)了制約輸運特性的關鍵機制,促成金剛石表面電導近年來提升一個數(shù)量級;研制出了高性能金剛石MOSFET器件,研究論文[IEEE Electron Device Lett. 38, 786;IEEE Electron Dev Lett 38 (9), 1302 (2017)]是微電子旗艦刊物IEEE Electron Device Letters對中國金剛石場效應管成果的首次和第二次報道;提出了一種超高純金剛石表面終端調(diào)制輻射探測器結構,研制出高性能金剛石輻射探測器,研究論文[Appl Phys Lett 116 (9), 092104 (2020); IEEE Electron Dev Lett 43 (3), 454 (2022) ]分別是這兩種期刊對中國金剛石輻射探測器研究成果的首次報道。 |