本人長期從事SiC功率器件設(shè)計(jì)、制備、測試及可靠性分析相關(guān)工作。目前已主持或參與國家自然科學(xué)基金、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、陜西省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、中興產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目等多項(xiàng)縱橫向項(xiàng)目,并負(fù)責(zé)開發(fā)了1.2kV、3.3kV、5kV和6.7kV SiC功率肖特基二極管及650V-1700V SiC MOSFET器件,擁有豐富的器件設(shè)計(jì)及測試經(jīng)驗(yàn)。以第一作者或通訊作者在IEEE electron device letters、IEEE transactions on electron devices、Carbon、Solid-state electronics、Journal of crystal growth、Chinese physics B等期刊發(fā)表論文10余篇,申請專利20余項(xiàng)。目前擔(dān)任IEEE transactions on electron devices、Thin solid films等期刊審稿人。 |