鄭新和 教授
| 專家姓名: | 鄭新和 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 教授 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
III族氮化物半導(dǎo)體薄膜與低維結(jié)構(gòu)的原子層外延生長，新型氮化鎵/二維體系異質(zhì)結(jié)熱電子晶體管，原子層沉積在太陽能電池、儲能電池中的應(yīng)用，發(fā)光二極管芯片設(shè)計與計算，薄膜物性表征與分析 |
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| 自我介紹： | ||||
教育經(jīng)歷 2002年6月畢業(yè)于中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，獲博士學(xué)位。 工作經(jīng)歷 博士畢業(yè)后工作于中國科學(xué)院物理研究所、源順國際有限公司(北京)和中國石油大學(xué)(北京)，曾前往德國、智利及臺灣從事技術(shù)培訓(xùn)和博士后方面的研究工作。2009年3月至2014年3月，工作于中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，任研究員、博士生導(dǎo)師。2014年起加盟北京科技大學(xué)物理系，任教授、博士生導(dǎo)師。一直從事氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）和砷化鎵（GaAs）等半導(dǎo)體薄膜和量子阱（QW）結(jié)構(gòu)的生長、物理性能分析與光電器件（發(fā)光二極管和太陽能電池）方面的研究。目前正在進(jìn)行III族氮化物原子層外延生長、新型GaN/二維體系熱電子晶體管以及原子層沉積應(yīng)用方面等的研究工作。 科研業(yè)績 在InGaN基半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表征、太陽能電池器件物理和薄膜外延生長方面開展了具有特色并受到國際同行關(guān)注的研究工作。GaN馬賽克扭轉(zhuǎn)角測量方法受到英國劍橋大學(xué)在物理類綜合期刊Rep. Prog. Phys.上的多次評價，薄膜晶格常數(shù)測量方法被實(shí)際應(yīng)用到研究工作并寫入科學(xué)出版社專著章節(jié)，InGaN基太陽能電池受到2014年諾貝爾物理獎獲得者S.Nakamura教授研究組的多次引用。截止目前，已在Small、APL、IEEE Electron. Dev. Lett.、Chin. Phys. B等國內(nèi)外知名期刊上發(fā)表論文近八十篇，申請專利二十項(xiàng)（十一項(xiàng)授權(quán)）。曾擔(dān)任Advances in Mater. Sci. & Eng.期刊客座編輯，是Solar Energy Materials & Solar Cells, J. Appl. Phys., Semi. Sci. & Technol., App. Phys. A, J. Phys. D: Appl. Phys., Mater. Sci. & Eng., Thin Solid Films, Chin. Phys. B, 《半導(dǎo)體學(xué)報》等國內(nèi)外期刊的審稿人?，F(xiàn)擔(dān)任中國電工技術(shù)學(xué)會半導(dǎo)體光源系統(tǒng)專業(yè)委員會委員。主持、參與的項(xiàng)目包括國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究計劃、國家自然科學(xué)基金、上?？臻g電源研究所、蘇州市國際合作、與日本索尼公司國際合作、橫向項(xiàng)目等。 獲得獎勵 江蘇省科學(xué)技術(shù)三等獎、中國科學(xué)院優(yōu)秀共產(chǎn)黨員、蘇州市高層次緊缺人才、北京科技大學(xué)高層次人才等。 |
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| 所在單位: | 北京科技大學(xué) | |||
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