段瑞飛 副研究員
| 專家姓名: | 段瑞飛 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 副研究員 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
化合物半導(dǎo)體外延以及其在氮化物L(fēng)ED等光電子器件中的應(yīng)用，涉及使用MBE、MOCVD、HVPE等方法生長(zhǎng)III-V族化合物，主要包括氮化物的同質(zhì)襯底、LED外延材料以及LED器件制備等領(lǐng)域。 |
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| 自我介紹： | ||||
1975年6月出生。1997年于內(nèi)蒙古大學(xué)物理系獲得理學(xué)學(xué)士學(xué)位，2000年于北京科技大學(xué)材料物理系獲得工學(xué)碩士學(xué)位，2003年于中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所獲得工學(xué)博士學(xué)位。2003－2005年在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司五十五所從事材料生長(zhǎng)工作。2005年4月至今在半導(dǎo)體所工作。 |
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| 所在單位: | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 | |||
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