2010年博士畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè),師從郝躍院士,目前是寬禁帶半導(dǎo)體國家工程技術(shù)中心郝躍院士團隊氮化鎵基半導(dǎo)體材料生長與光電器件方向的核心成員,在氮化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域,作為核心成員先后參與完成多項國家級及省部級項目,曾創(chuàng)新性地提出了多項材料及器件外延生長的新方法及新結(jié)構(gòu),得到多項處于國際領(lǐng)先水平的材料指標(biāo)。獲得國家發(fā)明專利十余項,發(fā)表論文十余篇。 |