徐現(xiàn)剛 教授
| 專家姓名: | 徐現(xiàn)剛 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 教授 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
一直從事MOCVD化合物半導(dǎo)體薄膜材料（包括As，P，Sb和氮化物）的生長(zhǎng)及器件應(yīng)用工作，制備出多種量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料如量子阱、超晶格、2DEG，多種薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等，應(yīng)用到多種半導(dǎo)體器件如：半導(dǎo)體激光器、發(fā)光二極管、HBT、HEMT等。 |
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| 自我介紹： | ||||
1992年獲得山東大學(xué)凝聚態(tài)物理博士學(xué)位，師從于蔣民華院士。2000年留美回國(guó)-至今，獲教育部第一批長(zhǎng)江計(jì)劃的特聘教授，2000年度國(guó)家杰出青年科學(xué)基金獲得者，973首席科學(xué)家，主要從事半導(dǎo)體材料制備及其應(yīng)用研究的工作。 自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導(dǎo)體薄膜材料（包括As，P，Sb和氮化物）的生長(zhǎng)及器件應(yīng)用工作，制備出多種量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料如量子阱、超晶格、2DEG，多種薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等，應(yīng)用到多種半導(dǎo)體器件如：半導(dǎo)體激光器、發(fā)光二極管、HBT、HEMT等。積極響應(yīng)國(guó)家號(hào)召，踐行產(chǎn)學(xué)研結(jié)合，服務(wù)地方服務(wù)山東，把科技創(chuàng)新的成果產(chǎn)業(yè)化；自2000年開(kāi)始SiC單晶生長(zhǎng)和加工工作，先后突破了2英寸6H-SiC、3英寸以上的4H-SiC等的單晶生長(zhǎng)技術(shù)，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題，制備出基于SiC襯底的GaN超高亮度發(fā)光二極管。先后承擔(dān)了多項(xiàng)863、973、國(guó)家重大專項(xiàng)等課題。 獲得多項(xiàng)表彰和獎(jiǎng)勵(lì)，如1995年洪堡學(xué)者，1998年獲得由IEE頒發(fā)的Electronics Letters Premium，1999年在美國(guó)獲得由IEEE頒發(fā)的Best Paper Award，2000年獲得“國(guó)家杰出青年基金”，2003年“山東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)”、“山東省留學(xué)回國(guó)創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)”，2005年獲“山東省十大杰出青年”，2007年獲“政府特殊津貼獎(jiǎng)”，2013年獲得“山東省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)”等。任國(guó)務(wù)院學(xué)位委員會(huì)委員、國(guó)家863計(jì)劃半導(dǎo)體照明工程總體專家組專家等等。至今已經(jīng)發(fā)表超過(guò)150篇相關(guān)論文及會(huì)議報(bào)告。 |
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| 所在單位: | 山東大學(xué)晶體材料研究所 | |||
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