高攀 副研
| 專家姓名: | 高攀 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 副研 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
主要從事第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅晶體以及高電阻率新型壓電晶體材料研究 |
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| 自我介紹： | ||||
2010年5月于同濟(jì)大學(xué)物理科學(xué)與工程學(xué)院博士畢業(yè)。目前在中科院上海硅酸鹽研究所人工晶體研究中心主要從事第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅晶體以及高電阻率新型壓電晶體材料研究。曾獲2010年度獲“同濟(jì)大學(xué)優(yōu)秀博士論文”和上海市“優(yōu)秀畢業(yè)生”。以第一作者發(fā)表在Applied Physics Letters, Crystal Engineering Communications, Journal of Alloys and Compounds等期刊發(fā)表論文10余篇，申請(qǐng)中國發(fā)明專利10項(xiàng)，授權(quán)2項(xiàng)。目前承擔(dān)國家自然科學(xué)基金青年基金，上海市自然科學(xué)基金青年基金，中國科學(xué)院透明光功能無機(jī)材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室項(xiàng)目各一項(xiàng)。 |
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| 所在單位: | 中科院上海硅酸鹽研究所 | |||
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