吳小明,男,博士,江西新余人, 2014年博士畢業(yè)于南昌大學(xué)國(guó)家硅基LED工程技術(shù)研究中心,2015年留?!,F(xiàn)為南昌大學(xué)國(guó)家硅基LED工程技術(shù)研究中心副研究員,江西省發(fā)光材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任。在本領(lǐng)域權(quán)威雜志美國(guó)應(yīng)用物理快報(bào)(SCI二區(qū))、美國(guó)應(yīng)用物理學(xué)報(bào)以及中國(guó)物理快報(bào)等雜志發(fā)表多篇論文,論文“Hole injection from the sidewall of V-shaped pits into c-plane multiple quantum wells in InGaN light emitting diodes”發(fā)表后,作為半導(dǎo)體光電子器件的國(guó)際新聞,為英國(guó)著名行業(yè)雜志《semiconductor today》報(bào)道。2018年至今,主持研制的高光效AlGaInP紅光LED,經(jīng)來(lái)自全國(guó)科研院所、高等院校、檢測(cè)機(jī)構(gòu)、聯(lián)盟、協(xié)會(huì)、學(xué)會(huì)共12名專家組成鑒定委員會(huì)鑒定,達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。 |