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- 陳加福 副教授
研究方向:1. 碳基復合或雜化材料與電化學儲能(超電); 2. 高性能硅碳負極材料與儲鋰;3. 碳微結(jié)構(gòu)設計、調(diào)控與儲鈉;4. 聚合物膜材料與工業(yè)廢水有機污染物處理;5. 低維微孔碳與儲氫;6. 新型ORR或HER催化劑的設計與制備
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- 陳小龍 研究員
研究方向:長期從事寬禁帶半導體材料和新功能晶體材料探索方面的研究工作,先后主持國家863、973和國家科技支撐計劃等23個科研項目,取得了多項研究成果。系統(tǒng)開展了碳化硅晶體生長的基礎和應用開發(fā)研究工作,解決了多項關鍵科學問題和系列關鍵技術,生長出2-4英寸高質(zhì)量晶體;攻克了晶體制備重復性和穩(wěn)定性等關鍵工程化問題,在國內(nèi)率先實現(xiàn)了碳化硅晶體的產(chǎn)業(yè)化,碳化硅系列晶片批量供應國內(nèi)用戶,并出口至歐美和日本等發(fā)達國家,打破了國外的長期壟斷,為發(fā)展我國寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)奠定了基礎。發(fā)現(xiàn)了一系列新的功能晶體材料,包括新超導體K0.8Fe2Se2和具有潛在應用價值的閃爍晶體YBa3B9O18等,精確測定了新化合物的晶體結(jié)構(gòu),其中120個化合物的衍射數(shù)據(jù)被ICDD收錄為標準衍射數(shù)據(jù)。
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